2MB ： 128K ×18 ， 64K X 32/36
流通SYNCBURST SRAM
绝对最大额定值*
在V电压
DD
供应
相对于V
SS
.................................... -0.5V至+ 4.6V
在V电压
DD
Q供应
相对于V
SS
.................................... -0.5V至+ 4.6V
V
IN
............................................... -0.5V到V
DD
Q + 0.5V
存储温度（塑料） ............ -55 ° C至+ 150°C
结温** .................................... + 150°C
短路输出电流........................... 100毫安
*应力大于“绝对在列
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
该设备。这是一个额定值只和功能
该器件在这些或任何其他条件操作
超过上述的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会
影响可靠性。
**最高结温取决于封装
年龄类型，循环时间，装载，环境温度和
气流。请参阅美光技术说明TN- 05-14的多
信息。
3.3VI / O直流电气特性和操作条件
(0°C
≤
T
A
≤
+ 70°C ; V
DD
, V
DD
Q = + 3.3V， + 0.3V / -0.165V除非另有说明）
描述
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
电源电压
隔离输出缓冲器供应
条件
符号
V
IH
V
IL
IL
I
IL
O
V
OH
V
OL
V
DD
V
DD
Q
民
2.0
-0.3
-1.0
-1.0
2.4
–
3.135
3.135
最大
V
DD
+ 0.3
0.8
1.0
1.0
–
0.4
3.6
V
DD
单位
V
V
µA
µA
V
V
V
V
笔记
1, 2
1, 2
3
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
输出（S ）禁用，
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 8.0毫安
1, 4
1, 4
1
1, 5
2.5VI / O直流电气特性和操作条件
(0°C
≤
T
A
≤
+ 70°C ; V
DD
= +3.3V +0.3V/-0.165V; V
DD
Q = + 2.5V + 0.4V / -0.125V除非另有说明）
描述
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
电源电压
隔离输出缓冲器供应
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
输出（S ）禁用，
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
Q（ DQX ）
I
OH
= -2.0mA
I
OH
= -1.0mA
I
OL
= 2.0毫安
I
OL
= 1.0毫安
条件
数据总线（ DQX ）
输入
符号
V
IH
Q
V
IH
V
IL
IL
I
IL
O
V
OH
V
OH
V
OL
V
OL
V
DD
V
DD
Q
民
1.7
1.7
-0.3
-1.0
-1.0
1.7
2.0
–
–
3.135
2.375
最大
V
DD
Q + 0.3
V
DD
+ 0.3
0.7
1.0
1.0
–
–
0.7
0.4
3.6
2.9
单位
V
V
V
µA
µA
V
V
V
V
V
V
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1
1
笔记
1, 2
1, 2
1, 2
3
注意：
1.所有电压参考V
SS
（GND）。
2.过冲：
V
IH
≤
+ 4.6V为吨
≤
t
KC / 2 ，因为我
≤
20mA
冲： V
IL
≥
-0.7V对于T
≤
t
KC / 2 ，因为我
≤
20mA
电：
V
IH
≤
+ 3.6V和V
DD
≤
3.135V对于T
≤
200ms
3. MODE引脚具有内部上拉，并输入漏电流为± 10μA 。
4.用于V负载
OH
, V
OL
测试示出在图2中为3.3V的I / O和图4为2.5VI / O操作。交流负载电流较大
除规定的DC值。 AC I / O曲线，可根据要求提供。
5. V
DD
Q不能超过V
DD
. V
DD
和V
DD
Q可以连接在一起3.3V的I / O 。
2MB ： 128K ×18 ， 64K X 32/36流通型SyncBurst SRAM
MT58L128L18F_2.p65 - 修订版6/01
9
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