2MB ： 128K ×18 ， 64K X 32/36
流通SYNCBURST SRAM
TQFP引脚说明（续）
x18
85
x32/x36
85
符号
ADSC ＃
TYPE
输入
描述
同步地址状态控制器：此低电平输入
中断任何正在进行的破灭，导致了新的外部地址是
注册。读或写时使用新的地址，如果执行
CE ＃为低。 ADSC ＃也可用于放置芯片进入掉电
状态时， CE ＃为高电平。
模式：输入选择的突发序列。的低电平引脚
选择“线性爆裂。 ”NC或高该引脚上选择“交错
爆了。 “不要改变，而设备运行输入状态。
贪睡启用：此高电平有效，异步输入导致
设备进入低功耗待机模式，其中，在所有的数据
存储器阵列被保留。当ZZ是积极的，所有其他的输入是
忽略不计。
31
31
模式
输入
64
64
ZZ
输入
(a)
58, 59,
(a)
52, 53,
62, 63, 68, 69, 56-59, 62, 63
72, 73
(b)
8, 9, 12,
(b)
68, 69,
13, 18, 19, 22, 72-75, 78, 79
23
(c)
2, 3, 6-9,
12, 13
(d)
18, 19,
22-25, 28, 29
74
24
–
–
51
80
1
30
DQA
DQB
输入/ SRAM数据I / O的：对于×18版，字节“a”是DQA的引脚;字节“b”的
输出DQB引脚。对于X32和X36版本，字节“a”是DQA引脚;
字节“ B”是DQB引脚;字节“ c”是DQC销;字节“d”是DQD引脚。
输入数据必须满足建立和保持周围的上升沿时间
的CLK 。
DQC
DQD
NC / DQPa
NC / DQPb
NC / DQPc
NC / DQPd
V
DD
V
DD
Q
V
SS
NC /
I / O
无连接/奇偶校验数据的I / O ：在X32版本，这些引脚都
连接（ NC） 。在X18版本，字节“是”平价DQPa ;字节“b”的
平价DQPb 。在X36版本，字节“是”平价DQPa ;字节
“B”平价DQPb ;字节“ C”平价DQPc ;字节“ D”平价DQPd 。
15, 41, 65, 91 15, 41, 65, 91
4, 11, 20, 27, 4, 11, 20, 27,
54, 61, 70, 77 54, 61, 70, 77
5, 10, 14, 17, 5, 10, 14, 17,
21, 26, 40, 55, 21, 26, 40, 55,
60, 67, 71, 76, 60, 67, 71, 76,
90
90
38, 39, 42, 43 38, 39, 42, 43
1-3, 6, 7, 16,
25, 28-30,
51-53, 56, 57,
66, 75, 78, 79,
95, 96
50
16, 66
供电电源：见DC电气特性和操作
条件范围内。
供应隔离输出缓冲器供应：见直流电气特性和
工作条件范围内。
供应地：GND 。
DNU
NC
–
–
不要使用：这些信号可以是未连接或连接到
GND提高封装的散热。
无连接：这些信号没有内部连接，可以是
连接到地，以改善封装的散热性。
50
NC / SA
–
无连接：该引脚为地址的扩展保留。
2MB ： 128K ×18 ， 64K X 32/36流通型SyncBurst SRAM
MT58L128L18F_2.p65 - 修订版6/01
6
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