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MT58L256L32P 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MT58L256L32P
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内容描述: 8MB : 512K ×18 , 256K X 32/36流水线, SCD SyncBurst SRAM [8Mb: 512K x 18, 256K x 32/36 PIPELINED, SCD SYNCBURST SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 27 页 / 391 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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8MB : 512K ×18 , 256K X 32/36
PIPELINED , SCD SYNCBURST SRAM
一般说明(续)
( GW # ) 。需要注意的是CE2 #不可用的
T版。
异步输入包括输出使能
( OE# ) ,时钟(CLK)和打盹启用( ZZ) 。也有
突发模式输入( MODE)的接口之间进行选择
叶和线性突发模式。数据输出( Q) ,恩
通过OE #体健,也是异步的。写周期可以
是从一到两个字节宽( ×18 ),或一至四个
字节宽(的X32 / X36 ) ,由写控制的控制
输入。
突发的操作可以与任一地址启动
状态处理器( ADSP # )或地址状态控制器
( ADSC # )输入。随后的脉冲串地址可以
内部产生由脉冲串预先作为控制
输入( ADV # ) 。
地址和写控制记录片上,以
简化写周期。这使得自定时写
周期。单个字节使能允许单个字节
被写入。在X18设备上的写周期,
BWA #控制DQA引脚和DQPa ; BWB #控制
DQB引脚和DQPb 。在对X32写周期
与X36设备, BWA #控制DQA引脚和DQPa ;
BWB # DQB控制引脚和DQPb ; BWC #控制
DQC引脚和DQPc ; BWD # DQD控制引脚,
DQPd 。 GW #低导致被写入所有字节。平价
位只适用于X18和X36的版本。
该器件集成了一个单周期取消为特色的
在读周期TURE 。如果该设备是立即
一个读周期后取消选择,输出总线都到了
高阻态
t
后上升沿KQHZ纳秒
的时钟。
美光科技公司的8Mb SyncBurst的SRAM从操作
+3.3V V
DD
电源,并且所有的输入和输出是
TTL兼容。用户可以选择3.3V或2.5V
I / O版本。该器件非常适用于奔腾
和PowerPC流水线的苯并系统和系统
EFIT从一个很宽的,高速数据总线。该装置
也适合于通用的16位, 18- , 32-, 36- , 64- ,和72比特
广泛的应用。
请参考美光公司的网站( www.micron.com/
sramds )
最新的数据表。
TQFP引脚配置
本数据手册的撰写本文时,有
2引脚的行业。美光将支持
8MB : 512K ×18 , 256K X 32/36流水线, SCD SyncBurst SRAM
MT58L512L18P_C.p65 - 修订版2/02
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