256MB和512MB （256 / 256MB ） ， P30-65nm
绝对最大额定值
绝对最大额定值
注意事项：
强调超越“绝对最大额定值”，该设备可能会导致人员
永久性的损坏。这些压力额定值只。
表39 ：绝对最大额定值
参数
在偏置温度
储存温度
对任何信号电压（除V
CC
, V
PP
和V
CCQ
)
V
PP
电压
V
CC
电压
V
CCQ
电压
输出短路电流
注意事项：
最大额定值
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 125°C
-2.0 V至+ 4.0 V
-2.0 V至+ 11.5 V
-2.0 V至+ 4.0 V
-2.0 V至+ 5.6 V
百毫安
笔记
-
-
1
1, 2
1
1
3
1所示的电压被指定相对于VSS 。在罕见的非周期跃迁
系统蒸发散，水平可能下冲至-2.0 V的时间小于20 ns或过冲至V
CC
+ 2.0 V或V
CCQ
+ 2.0 V的时间小于20纳秒。
2.程序/擦除电压通常为1.7 V〜 2.0V。 9.0 V可应用于80小时马克西
妈妈总。 9.0 V编程/擦除电压可以减少块循环能力。
3.输出短路不超过一秒。不超过一个的输出短路，在一
时间。
工作条件
注意事项：
操作超出了“工作条件”不建议和EX-
超越“工作条件”往往暴露可能会影响器件的可靠性。
表40 ：工作条件
符号
T
C
V
CC
V
CCQ
V
PPL
V
PPH
t
PPH
块擦除
周期
参数
工作温度
V
CC
电源电压
I / O电源电压
V
PP
电源电压（逻辑电平）
缓冲增强工厂编程V
PP
最大V
PP
小时
主参数块
主要模块
参数块
注意事项：
V
PP
= V
PPH
V
PP
= V
PPL
V
PP
= V
PPH
V
PP
= V
PPH
CMOS输入
TTL输入
民
–40
1.7
1.7
2.4
0.9
8.5
-
100,000
100,000
100,000
最大
+85
2.0
3.6
3.6
3.6
9.5
80
-
-
-
小时
周期
2
单位
°C
V
笔记
1
3
1. T
C
=外壳温度。
2.在典型的操作中的VPP编程电压为V
PPL
.
PDF ： 09005aef84566799
p30_65nm_256Mb - 512mb.pdf - 版本A 1/13 EN
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