256MB和512MB （256 / 256MB ） ， P30-65nm
直流电流特性
直流电流特性
表41 ：直流电流特性
CMOS输入
(V
CCQ
= 1.7V -
3.6 V)
典型值
-
-
最大
±1
±1
TTL输入
(V
CCQ
= 2.4 V -
3.6 V)
典型值
-
-
最大
±2
±10
单位测试条件
µA
µA
V
CC
= V
CC
MAX V
CCQ
= V
CCQ
最大
V
IN
= V
CCQ
或V
SS
V
CC
= V
CC
MAX V
CCQ
= V
CCQ
最大
V
IN
= V
CCQ
或V
SS
V
CC
= V
CC
MAX V
CCQ
= V
CCQ
最大
CE＃ = V
CCQ
RST ＃ = V
CCQ
（因为我
CCS
)
RST ＃ = V
SS
（因为我
CCD
） WP ＃ = V
IH
V
CC
= V
CC
最大
CE＃ = V
IL
OE ＃ = V
IH
输入： V
IL
or
V
IH
1. 2
笔记
1, 6
对称
BOL参数
I
LI
I
LO
输入负载电流
输出的DQ [15：0 ] ，WAIT
泄漏
当前
V
CC
待机，
掉电
平均
V
CC
读
当前
256-Mbit
512-Mbit
I
CCS
,
I
CCD
I
CCR
65
130
26
210
420
31
65
130
26
210
420
31
µA
异步了正弦
GLE -字F = 5兆赫
（ 1 CLK ）
页面模式读取F =
13兆赫（ 17 CLK ）
同步突发˚F
= 52 MHz时， LC = 4
读毫安16字
1
12
19
16
21
16
22
18
24
50
50
210
225
12
19
16
21
35
35
65
70
16
22
18
24
50
50
210
225
读毫安16字
读毫安8字
读毫安16字
mA连续
读
I
CCW ，
I
CCE
V
CC
编程电流，
V
CC
擦除电流
35
35
毫安V
PP
= V
PPL
,
PGM / ERS进行中
V
PP
= V
PPH
,
PGM / ERS进行中
µA
CE＃ = V
CCQ
;暂停进行中
1, 3, 5
1, 3, 5
1, 3, 4
I
CCWS ，
V
CC
程序可持
I
CCES
挂起电流，
V
CC
擦除挂起
当前
I
PPS ，
I
PPWS ，
IPPES
256-Mbit
512-Mbit
65
70
V
PP
待机电流，
V
PP
程序挂起电流，
V
PP
擦除挂起电流
V
PP
读
V
PP
编程电流
V
PP
擦除电流
V
PP
BLANK CHECK
注意事项：
0.2
5
0.2
5
µA
V
PP
= V
PPL
,
暂停进展
V
PP
= V
PPL
V
PP
= V
PPH ，
项目进展
1, 3, 7
I
PPR
I
PPW
I
PPE
I
PPBC
2
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
15
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
2
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
15
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
µA
1, 3
3
3
3
毫安V
PP
= V
PPL ，
项目进展
毫安V
PP
= V
PPL ，
删除进展
V
PP
= V
PPH ，
删除进展
毫安V
PP
= V
PPL
V
PP
= V
PPH
1.所有电流有效值，除非另有说明。在典型的V典型值
CC
, T
C
= +25 °C.
2. I
CCS
是5微秒之后，CE＃测过任何5ms的时间间隔中的平均电流是被拉高
牢固插入。
PDF ： 09005aef84566799
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