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PC28F256P30TFE 参数 Datasheet PDF下载

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型号: PC28F256P30TFE
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内容描述: 256MB和512MB (256 / 256MB ) , P30-65nm [256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm]
分类和应用: 闪存内存集成电路
文件页数/大小: 95 页 / 1351 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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256MB和512MB (256 / 256MB ) , P30-65nm
直流电压特性
3.采样,而不是100 %测试。
4. I
CCES
指定与取消选择该设备。如果设备被读取,而在擦除暂停,电流
房租是我
CCES
再加上我
CCR
.
5. I
CCW
, I
CCE
测过的编程和擦除Characteris-指定的典型或最大时间
6.如果V
IN
& GT ; V
CC
输入负载电流增大到10uA的最大值。
7.我
PPS ,
I
PPWS ,
I
PPES
将增加至200uA时, VPP / WP #是V
PPH 。
直流电压特性
表42 :直流电压特性
CMOS输入(V
CC
Q = TTL输入
(1)
(V
CC
Q =
1.7 V – 3.6 V)
2.4 V – 3.6 V)
符号参数
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
V
PPLK
V
LKO
V
LKOQ
V
PPL
V
PPH
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
V
PP
锁定电压
V
CC
锁定电压
V
CCQ
锁定电压
V
PP
电源
(逻辑电平)
缓冲增强
工厂编程
V
PP
注意事项:
-0.5
V
CCQ
– 0.4
-
V
CCQ
– 0.2
-
1.0
0.9
1.5
8.5
最大
0.4
V
CCQ
+ 0.5
0.2
-
0.4
-
-
3.6
9.5
-0.5
2
-
V
CCQ
– 0.2
-
1.0
0.9
1.5
8.5
最大
0.6
V
CCQ
+ 0.5
0.2
-
0.4
-
-
3.6
9.5
单位测试条件
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
CC
= V
CC
闵V
CCQ
=
V
CCQ
闵我
OL
= 100 µA
V
CC
= V
CC
闵V
CCQ
=
V
CCQ
闵我
OH
= –100 µA
-
-
3
-
-
笔记
2
1.同步读模式不支持TTL输入。
2. V
IL
可以下冲至-1.0 V为2ns的或更小, V的持续时间
IH
可过冲至V
CCQ
+
1.0V的为2ns的或更少的持续时间。
3. V
PP
V
PPLK
抑制擦除和编程操作。不要使用V
PPL
和V
外PPH自己
有效范围。
PDF : 09005aef84566799
p30_65nm_256Mb - 512mb.pdf - 版本A 1/13 EN
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