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    M28W640HCT70N6E 参数 Datasheet PDF下载

    M28W640HCT70N6E图片预览
    型号： M28W640HCT70N6E
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 64兆位（4 MB ×16 ，引导块） 3 V电源闪存 [64 Mbit (4 Mb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 72 页 / 1310 K
    品牌： NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
     浏览型号M28W640HCT70N6E的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M28W640HCT70N6E的Datasheet PDF文件第9页浏览型号M28W640HCT70N6E的Datasheet PDF文件第10页浏览型号M28W640HCT70N6E的Datasheet PDF文件第11页浏览型号M28W640HCT70N6E的Datasheet PDF文件第13页浏览型号M28W640HCT70N6E的Datasheet PDF文件第14页浏览型号M28W640HCT70N6E的Datasheet PDF文件第15页浏览型号M28W640HCT70N6E的Datasheet PDF文件第16页  
    信号说明
    M28W640HCT ， M28W640HCB
    2
    信号说明
    SEE
    图1 ：逻辑图
    和
    表1：信号名称，
    为信号的简要概述
    连接到该设备。
    2.1
    地址输入（ A0 - A21 ）
    的地址输入选择单元中的存储器阵列中的过程中总线读访问
    操作。在总线写操作这些控制发送到该命令的命令
    接口内部状态机。
    2.2
    数据输入/输出（ DQ0 - DQ15 ）
    总线读操作期间，数据输入/输出输出存储在选定的地址中的数据或
    输入一个命令或数据的写总线操作期间进行编程。
    2.3
    芯片启用（ E）
    在芯片使能信号激活存储器控制逻辑，输入缓冲器，解码器和
    感测放大器。当芯片使能为V
    IL
    和Reset为V
    IH
    该装置是在有源
    模式。当芯片使能为V
    IH
    内存选中，则输出为高电平
    阻抗和功率消耗减小到备用水平。
    2.4
    输出使能（ G）
    输出使能内存的总线读操作过程中控制数据输出。
    2.5
    写使能（ W）
    写使能控制存储的命令接口的总线写操作。该
    数据和地址输入锁存芯片的上升沿启用， E，或写使能，
    W，以先到为准。
    2.6
    写保护（ WP ）
    写保护是一个输入，给每个块附加的硬件保护。当
    写保护是在V
    IL
    ，的锁定已启用，并且块的保护状态
    不能被改变。当写保护是V
    IH
    ，的锁定被禁用，并且该块
    可被锁定或解锁（参照
    表7 ：读保护注册和锁定寄存器） 。
    12/72

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