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M28W640HCT70N6E 参数 Datasheet PDF下载

M28W640HCT70N6E图片预览
型号: M28W640HCT70N6E
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内容描述: 64兆位(4 MB ×16 ,引导块) 3 V电源闪存 [64 Mbit (4 Mb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 72 页 / 1310 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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M28W640HCT , M28W640HCB
信号说明
2.7
复位( RP )
复位输入提供了内存的硬件复位。当Reset为V
IL
中,
记忆是在复位模式:输出为高阻抗,电流消耗
最小化。复位后所有块处于锁定状态。当Reset为V
IH
,该装置是
在正常的操作。退出复位模式器件进入读阵列模式,而是一个负数
芯片的过渡启用或需要地址的更改,以确保有效的数据输出。
2.8
V
DD
电源电压
V
DD
提供了电源的内部核心和存储装置的I / O引脚。它
对于所有的操作(读取,编程和擦除)的主电源。
2.9
V
PP
项目电源电压
V
PP
既是一个控制输入端和一个电源端子。这两个功能是由所选择的
电压范围内施加到引脚。电源电压V
DD
和节目的供电电压,
V
PP
可以任何顺序施用。
如果V
PP
被保持在低电压范围(0V至3.6 V)
PP
被看作是一个控制输入端。在这种情况下
比伏的电压下
PPLK
对提供程序或擦除一个绝对的保护,同时
V
PP
& GT ; V
PP1
启用这些功能(参见
为相关
值)。 V
PP
只采样一个编程或擦除的开始;其值的变化
之后的操作已启动并没有有关节目的任何影响或擦除,但是对于
双人或四人Word程序的结果是不确定的。
如果V
PP
是在11.4 V至12.6 V它作为一个电源引脚的范围内。在这种条件下V
PP
必须是稳定的,直到编程/擦除算法完成(见
2.10
注意:
V
SS
V
SS
对于所有电压测量的参考。
系统中的每个设备应具有V
DD
和V
PP
去耦用0.1 μF的电容接近
到销。看
PCB走线宽度应为
足以完成所要求的V
PP
编程和擦除电流。
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