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    NAND04GW3B2DN6F 参数 Datasheet PDF下载

    NAND04GW3B2DN6F图片预览
    型号： NAND04GW3B2DN6F
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4千兆， 8千兆， 2112字节/ 1056字的页面多平面架构， 1.8 V和3 V ， NAND闪存 [4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 69 页 / 1707 K
    品牌： NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
     浏览型号NAND04GW3B2DN6F的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NAND04GW3B2DN6F的Datasheet PDF文件第7页浏览型号NAND04GW3B2DN6F的Datasheet PDF文件第8页浏览型号NAND04GW3B2DN6F的Datasheet PDF文件第9页浏览型号NAND04GW3B2DN6F的Datasheet PDF文件第11页浏览型号NAND04GW3B2DN6F的Datasheet PDF文件第12页浏览型号NAND04GW3B2DN6F的Datasheet PDF文件第13页浏览型号NAND04GW3B2DN6F的Datasheet PDF文件第14页  
    描述
    表3中。
    信号
    I/O0-7
    I/O8-15
    AL
    CL
    E
    R
    RB
    W
    WP
    V
    DD
    V
    SS
    NC
    DU
    NAND04G - B2D ， NAND08G - BXC
    信号名称
    (1)
    功能
    数据输入/输出，输入地址或命令的输入（ X8 / X16
    设备）
    数据输入/输出（ X16设备）
    地址锁存使能
    命令锁存使能
    芯片使能
    读使能
    就绪/忙（漏极开路输出）
    写使能
    写保护
    电源电压
    地
    在内部没有连接
    不要使用
    方向
    输入/输出
    输入/输出
    输入
    输入
    输入
    输入
    产量
    输入
    输入
    电源
    地
    不适用
    不适用
    1. NAND08G - B4C器件具有两个独立的信号，为每一个的4 Gb死亡。
    10/69

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