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NAND04GW3B2DN6F 参数 Datasheet PDF下载

NAND04GW3B2DN6F图片预览
型号: NAND04GW3B2DN6F
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内容描述: 4千兆, 8千兆, 2112字节/ 1056字的页面多平面架构, 1.8 V和3 V , NAND闪存 [4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 69 页 / 1707 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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描述
另外两个功能都可以作为选择:
NAND04G - B2D , NAND08G - BXC
额外的非易失性保护。
充当一个唯一的标识符的个体编号。
更多信息可,一个NDA (保密协议)完成后,和
因此,细节不再在此数据表中描述。对于这两个的更多信息
选项​​,请联系距离您最近的恒忆销售办事处。
该器件可在TSOP48 ( 12 ×20毫米)和LGA52 ( 12× 17mm)的包。
为满足环保要求,恒忆提供NAND04G - B2D和NAND08G-
BXC在ECOPACK
®
包。
有关如何订购这些选项的信息,请参阅
设备出厂带座0都可以有效的记忆
内容位,在有效的块,擦除为“1” 。
列出的部件号和其他信息的所有设备
能够在家庭中。
表2中。
产品说明
计时
产品型号
密度
公共汽车
宽度
页面
SIZE
SIZE
内存
ARRAY
操作
电压
顺序
ACCESS
时间(min)
45纳秒
25纳秒
25 µs
1.7〜
1.95 V
2.7〜
3.6 V
1.7〜
1.95 V
2.7〜
3.6 V
1.7〜
1.95 V
2.7〜
3.6 V
1.7〜
1.95 V
2.7〜
3.6 V
45纳秒
(1)
随机
ACCESS
时间(最大)
页面
节目
(典型值)
抹去
(典型值)
NAND04GR3B2D
x8
NAND04GW3B2D
4 GB
NAND04GR4B2D
x16
NAND04GW4B2D
NAND08GR3B2C
x8
NAND08GW3B2C
NAND08GR4B2C
8 GB
NAND08GW4B2C
NAND08GR3B4C
NAND08GW3B4C
x8
2048+64
字节
x8
128 K +
4千字节
x16
2048+64
字节
128 K +
4千字节
1024+
64 K +
32个字2 K字
2048+64
字节
128 K+
4千字节
64页
x 4096
1.7〜
1.95 V
2.7〜
3.6 V
LGA52
TSOP48
LGA52
200 µs
1.5ms
25纳秒
45纳秒
25纳秒
45纳秒
25 µs
25纳秒
45纳秒
LGA52
(2)
25纳秒
200 µs
1.5ms
(1)(2)
LGA52
(2)
TSOP48
LGA52
(2)
64页
1024+
64 K +
x 8192
32个字2 K字
1. x16组织仅可用于MCP产品。
2. NAND08G - BXC是由两个4千兆位的骰子。
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