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    NAND04GW3B2DN6F 参数 Datasheet PDF下载

    NAND04GW3B2DN6F图片预览
    型号： NAND04GW3B2DN6F
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4千兆， 8千兆， 2112字节/ 1056字的页面多平面架构， 1.8 V和3 V ， NAND闪存 [4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 69 页 / 1707 K
    品牌： NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
     浏览型号NAND04GW3B2DN6F的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NAND04GW3B2DN6F的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NAND04GW3B2DN6F的Datasheet PDF文件第7页浏览型号NAND04GW3B2DN6F的Datasheet PDF文件第8页浏览型号NAND04GW3B2DN6F的Datasheet PDF文件第10页浏览型号NAND04GW3B2DN6F的Datasheet PDF文件第11页浏览型号NAND04GW3B2DN6F的Datasheet PDF文件第12页浏览型号NAND04GW3B2DN6F的Datasheet PDF文件第13页  
    NAND04G - B2D ， NAND08G - BXC
    图1 。
    逻辑框图
    描述
    地址
    注册/计数器
    AL
    CL
    W
    E
    WP
    R
    命令寄存器
    页面缓存
    缓存寄存器
    Y译码
    命令
    接口
    逻辑
    P / E / R控制器，
    高压
    发电机
    X解码器
    NAND闪存
    存储阵列
    I / O缓冲器&锁存器
    RB
    I / O0 -I / O7 （ X8 / X16 ）
    I / O8 -I / O15 （ X16 ）
    AI13166b
    1. NAND08G - B4C器件具有两个独立的信号，为每一个的4 Gb死亡。
    图2中。
    逻辑图
    VDD
    E
    R
    W
    AL
    CL
    WP
    NAND闪存
    I / O0 -I / O7 （ X8 / X16 ）
    I / O8 -I / O15 （ X16 ）
    RB
    VSS
    AI13167b
    1. NAND08G - B4C器件具有两个独立的信号，为每一个的4 Gb死亡。
    9/69

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