NAND04G - B2D ， NAND08G - BXC
描述
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描述
该NAND04G - B2D和NAND08G - BXC是NAND闪存2112字节/ 1056字的一部分
页面家庭的非易失性闪存。他们使用的NAND单元技术的密度
的4千兆位和8千兆位上。
该NAND04G - B 2 D存储器阵列被分成2平面的每2048个块。这
多平面结构使得它可以编程2页的时间（一个在每个平面） ，
或擦除2块的时间（一个在每个平面） 。此功能可降低平均程序
和50％擦除时间。
该NAND08G - BXC是层叠装置，其结合了两种NAND04G - B2D骰子，两者的
这是一种具有多平面架构。
在NAND08G - B2C的设备，可以在一个被使能只有一个存储器元件的
时间，因此，操作只能在存储器组件中的一个在任何执行
一度。
在NAND08G - B 4 C的设备中，每个NAND04G - B2D模可以独立地访问
采用二组信号。
该器件采用1.8 V或3 V电压供电。根据是否在设备
具有x8或x16总线宽度，页大小是2112字节（ 2048 + 64备用）或或1056字
（1024 + 32备用） ，分别。
的地址线上的复用x8的复用的数据输入/输出信号
输入/输出总线。此接口减少了引脚数，并有可能迁移到
其他密度不改变的足迹。
每个模块进行编程和擦除超过10万次，具有ECC （纠错
在代码） 。为了扩大NAND闪存器件的寿命，在ECC的实现
强烈推荐。
一个写保护引脚可用来提供硬件保护，防止编程和擦除
操作。
这些器件具有漏极开路就绪/忙输出标识，如果P / E / R
（编程/擦除/读）控制器当前处于活动状态。采用漏极开路输出允许
就绪/忙管脚从多个存储器连接到一个单一的上拉电阻。
副本返回程序命令可优化缺陷管理
块。当一个页面编程操作失败，数据可以在另一页面进行编程
而不必重新发送数据进行编程。嵌入的错误检测码是
自动执行后，每个复制回操作： 1位错误可以为每个被检测
528位。通过此功能，就不再需要，也没有建议，使用外部2-
位ECC检测拷回操作错误。
该器件具有高速缓存读取功能，可以提高读取吞吐量大文件。
在高速缓冲存储器读出，所述装置加载的高速缓存寄存器中的数据，而先前的数据
被传递到I / O缓冲器被读取。
该器件具有片选“忽略”功能，该功能允许代码直接
由微控制器下载。这是可能的，因为芯片使能转换过程中的
等待时间不停止读操作。
无论是NAND04G - B2D和NAND08G - BXC支持ONFI 1.0规范。
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