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P3C1024L55TI 参数 Datasheet PDF下载

P3C1024L55TI图片预览
型号: P3C1024L55TI
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内容描述: 超低功耗128K ×8 CMOS静态RAM [ULTRA LOW POWER 128K x 8 CMOS STATIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 114 K
品牌: PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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P3C1024L
DATA RETENTION
Symbol
V
DR
I
CCDR (1)
t
CDR
t
R
Parameter
V
CC
for Data Retention
Data Retention Current
Chip Deselect to Data
Retention Time
Operating Recovery Time
(2)
Test Conditions
CE
1
V
CC
-0.2V, CE
2
0.2V,
V
IN
V
CC
-0.2V or V
IN
0.2V
V
DR
= 2.0V
See Retention Waveform
0
100
Min
2.0
10
Max
Unit
V
µA
ns
µs
1.
CE
1
V
DR
-0.2V, CE
2
V
DR
-0.2V or CE
2
0.2V; or
CE
1
0.2V, CE
2
- 0.2V; V
IN
V
DR
-0.2V or V
IN
0.2V
2. V
CC
ramp from V
DR
to V
CC
(min) > 100 µs for full device operation.
LOW V
CC
DATA RETENTION WAVEFORM 1 (CE
1
CONTROLLED)
CE
LOW V
CC
DATA RETENTION WAVEFORM 2 (CE
2
CONTROLLED)
Document #
SRAM132
REV OR
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