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    P3C125620JC 参数 Datasheet PDF下载

    P3C125620JC图片预览
    型号： P3C125620JC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高速32K ×8 3.3V CMOS静态RAM [HIGH SPEED 32K x 8 3.3V STATIC CMOS RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 10 页 / 266 K
    品牌： PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号P3C125620JC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号P3C125620JC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号P3C125620JC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号P3C125620JC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号P3C125620JC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号P3C125620JC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号P3C125620JC的Datasheet PDF文件第9页浏览型号P3C125620JC的Datasheet PDF文件第10页  
    P3C1256
    DATA RETENTION CHARACTERISTICS
    Symbol
    V
    DR
    I
    CCDR
    t
    CDR
    t
    R†
    *T
    A
    = +25°C
    §t
    RC
    = Read Cycle Time
    †
    Parameter
    V
    CC
    for Data Retention
    Data Retention Current
    Chip Deselect to
    Data Retention Time
    Operation Recovery Time
    Test Conditons
    Min
    2.0
    Typ.*
    V
    CC
    =
    2.0V
    3.0V
    Max
    V
    CC
    =
    2.0V
    3.0V
    Unit
    V
    CE
    ≥
    V
    CC
    –0.2V,
    V
    IN
    ≥
    V
    CC
    –0.2V
    or V
    IN
    ≤
    0.2V
    0
    t
    RC§
    10
    15
    600
    900
    µA
    ns
    ns
    This parameter is guaranteed but not tested.
    DATA RETENTION WAVEFORM
    TSOP PIN CONFIGURATION
    Document #
    SRAM122
    REV B
    Page 7 of 10

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