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P4C1023-55CC 参数 Datasheet PDF下载

P4C1023-55CC图片预览
型号: P4C1023-55CC
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内容描述: 低功耗128K ×8单芯片使能CMOS静态RAM [LOW POWER 128K x 8 SINGLE CHIP ENABLE CMOS STATIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 336 K
品牌: PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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P4C1023/P4C1023L
DATA RETENTION
Symbol
V
DR
Parameter
V
CC
for Data Retention
Test Conditions
CE
V
CC
-0.2V,
V
IN
V
CC
-0.2V or V
IN
0.2V
V
DR
= 2.0V
V
DR
= 3.0V
See Retention Waveform
0
t
RC
Min
2.0
Max
5.5
50
100
Unit
V
µA
µA
ns
ns
I
CCDR
t
CDR
t
R
Data Retention Current
Chip Deselect to Data
Retention Time
Operating Recovery Time
1.
CE
1
V
DR
-0.2V, CE
2
V
DR
-0.2V or CE
2
0.2V; or
CE
1
0.2V, CE
2
- 0.2V; V
IN
V
DR
-0.2V or V
IN
0.2V
LOW V
CC
DATA RETENTION WAVEFORM
Document #
SRAM126
REV OR
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