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    P4C1023-55CC 参数 Datasheet PDF下载

    P4C1023-55CC图片预览
    型号： P4C1023-55CC
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    内容描述： 低功耗128K ×8单芯片使能CMOS静态RAM [LOW POWER 128K x 8 SINGLE CHIP ENABLE CMOS STATIC RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 11 页 / 336 K
    品牌： PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号P4C1023-55CC的Datasheet PDF文件第1页浏览型号P4C1023-55CC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号P4C1023-55CC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号P4C1023-55CC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号P4C1023-55CC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号P4C1023-55CC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号P4C1023-55CC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号P4C1023-55CC的Datasheet PDF文件第9页  
    P4C1023/P4C1023L
    READ CYCLE NO. 1 (OE CONTROLLED)
    (1)
    OE
    READ CYCLE NO. 2 (ADDRESS CONTROLLED)
    READ CYCLE NO. 3 (CE CONTROLLED)
    CE
    Notes:
    1.
    WE
    is HIGH for READ cycle.
    2.
    CE
    and
    OE
    are LOW for READ cycle.
    3. ADDRESS must be valid prior to, or coincident with later of
    CE
    transition LOW.
    4. Transition is measured ± 200 mV from steady state voltage prior
    to change, with loading as specified in Figure 1. This parameter
    is sampled and not 100% tested.
    5. READ Cycle Time is measured from the last valid address to the
    first transitioning address.
    Document #
    SRAM126
    REV OR
    Page 4 of 11

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