HY[B/E]18M512160BF
512兆位的DDR移动-RAM
概观
1
1.1
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
概观
特点
4银行
×
8兆位
×
16组织
双倍数据速率的架构：每个时钟周期两个数据传输
双向数据选通（ DQS ）传输/数据接收;在接收机处捕获数据中使用
DQS是边沿对齐进行数据读取和中心对齐与写入数据
差分时钟输入（ CK / CK ）
命令中输入正面CK边缘;数据和屏蔽数据被引用到的DQS的两个边缘
四大银行内部的并发操作
可编程CAS延时： 2和3
可编程的突发长度： 2，4， 8和16
可编程驱动强度（全，半，四分之一）
自动刷新和自刷新模式
8192刷新周期/ 64ms的
自动预充电
商用（0 ° C至+ 70 ° C）和扩展（ -25
o
C至+ 85
o
C）的工作温度范围
60球很薄FBGA封装（ 10.5
×
10.5
×
1.0 mm)
符合RoHS产品
1)
省电功能
•
•
•
•
•
•
低电源电压：
V
DD
= 1.70 V
−
1.90 V,
V
DDQ
= 1.70 V
−
1.90 V
优化的操作（
I
DD0
,
I
DD4
），自刷新（
I
DD6
）和待机电流（
I
DD2
,
I
DD3
)
DDR I /无DLL Ø计划
可编程部分阵列自刷新（ PASR ）
温度补偿自刷新（ TCSR ） ，片上温度传感器控制
时钟停止，掉电和深度掉电模式
性能
-6
CL = 3
CL = 2
访问时间（
t
ACMAX
)
166
83
5.5
- 7.5
133
66
6.5
单位
兆赫
兆赫
ns
表1
产品型号代码的运行速度
时钟频率（
f
CKMAX
)
表2
项
银行
排
柱
内存寻址方案
地址
BA0 ， BA1
A0 - A12
A0 - A9
1 ）符合RoHS产品：电器使用某些有害物质（ RoHS指令）的限制和
作为指令2002/95 / EC的委员会，欧洲议会和颁布定义的电子设备
2003年1月27日，这些物质包括汞，铅，镉，六价铬，多溴
联苯和多溴联苯醚。
互联网数据表
3
Rev.1.80 ， 2006-11
07092007-3E44-UTNM
QIMONDA [ QIMONDA AG ]
