HY[B/E]18M512160BF
512兆位的DDR移动-RAM
功能说明
2
功能说明
512兆位的DDR移动-RAM是一种高速CMOS ，动态随机存取含536,870,912内存
位。它在内部配置为四银行DRAM 。
读取和写入访问到移动DDR -RAM被爆导向;存取开始在一个选定的位置和
继续在编程序列位置的设定的号码。访问开始报名
激活命令，接着读或写命令。地址位注册重合
激活命令用于选择银行和行访问（ BA0 ， BA1选择银行， A0 - A12
选择行） 。注册重合的READ或WRITE命令的地址位被用来选择
开始为突发访问列位置。
之前的正常操作中，在DDR移动-RAM必须被初始化。以下部分提供了详细的
信息包括设备初始化，寄存器定义，命令描述和设备操作。
2.1
2.1.1
注册德网络nition
模式寄存器
模式寄存器是用来定义在DDR移动-RAM中的操作的具体模式。这个定义
包括一个脉冲串长度的选择（位A0- A2）中，一个脉冲串类型（位A3）和一个CAS等待时间（位A4 -A6） 。模式
注册是通过模式寄存器设置命令编程（用BA0 = 0和BA1 = 0），将保留
存储的信息，直到它再次被编程或设备断电。
该模式寄存器必须被加载的时候所有的银行都闲着，控制器必须等待指定的时间之前，
启动任何后续操作。违反任一需求导致不确定的操作。
保留国家不应该使用，因为未知的操作或不符合将来的版本可能会导致。
MR
模式寄存器定义
BA1
0
BA0
0
A12
0
A11
0
A10
0
A9
0
（BA [1： 0] = 00
B
)
A8
0
A7
0
A6
A5
CL
A4
A3
BT
A2
A1
BL
A0
场
CL
位
[6:4]
TYPE
w
描述
CAS延迟
010 2
011 3
注：所有其他位组合被保留。
突发类型
0
顺序
1
交错
突发长度
001 2
010 4
011 8
100 16
注：所有其他位组合被保留。
BT
3
w
BL
[2:0]
w
互联网数据表
7
Rev.1.80 ， 2006-11
07092007-3E44-UTNM
QIMONDA [ QIMONDA AG ]
