HY[B/E]18M512160BF
512兆位的DDR移动-RAM
概观
1.4
表4
球
CK ， CK
CKE
引脚定义和说明
引脚说明
TYPE
输入
输入
详细功能
时钟：
CK和CK是差分时钟输入。所有地址和控制输入是
采样CK和CK的下降沿的正面边缘交叉。
时钟使能：
CKE高激活和CKE低停用内部时钟信号，
与设备的输入缓冲器和输出驱动器。以CKE LOW提供预充加电
向下和自刷新操作（所有银行闲置） ，或主动断电（行活跃于任何
银行） 。 CKE必须保持高通量读取和写入访问。输入缓冲器，
不包括CK ， CK和CKE是在断电期间禁用。输入缓冲器，但不包括
CKE是在自刷新无效。
片选：
当CS为高注册的所有命令被屏蔽。 CS为
在与多家银行系统外的银行选择。 CS被认为是部分
命令代码
输入命令：
RAS ， CAS和WE （连同CS ）定义的命令是
输入。
数据输入/输出：
双向数据总线（16位）的
数据选通：
输出读取数据，输入与写入数据。边沿对齐的读数据，
中心与写入数据。用于捕获写数据。
LDQS对应于DQ0数据 - DQ7 ; UDQS对DQ8数据 - DQ15 。
输入数据掩码：
DM为输入掩码信号为写入数据。输入数据被屏蔽时
在写访问DM采样与输入数据的高重合。 DM是
采样DQS的两边。虽然DM引脚的输入而已， DM装
匹配DQ和DQS装载。
DM可以被驱动为高电平，低电平或浮过程中的读取。
LDM对应于DQ0数据 - DQ7 ; UDM对DQ8数据 - DQ15 。
银行地址输入：
BA0和BA1确定哪个银行的启动，读取，
写或预充电命令被应用。 BA0 ， BA1还确定
模式寄存器是一个模式寄存器设置命令时被加载（或MRS
EMRS ） 。
地址输入：
提供行地址为ACTIVE命令和列
处理和自动预充电位读/写命令，选择一个位置了
在各个银行的存储器阵列的。 A10 （= AP）的一个预充电期间被采样
命令，以确定是否预充电适用于一个银行（A10 =低）或所有
银行（ A10 =高） 。如果只有一家银行被预充电，该行被选中BA0
和BA1 。地址输入也是一个模式寄存器设置过程中提供的操作码
命令。
CS
输入
RAS ， CAS ，
WE
DQ0 - DQ15
输入
I / O
LDQS ， UDQS I / O
LDM ， UDM
输入
BA0 ， BA1
输入
A0 - A12
输入
V
DDQ
V
SSQ
V
DD
V
SS
北卡罗来纳州
供应
I / O电源：
隔离电源的DQ输出缓冲器，以提高抗干扰性：
V
DDQ
= 1.70 V
−
1.90 V
供应
I / O接地
供应
电源：
电源的核心逻辑和输入缓冲器，
V
DD
= 1.70 V
−
1.90 V
供应
地
–
无连接
互联网数据表
6
Rev.1.80 ， 2006-11
07092007-3E44-UTNM
QIMONDA [ QIMONDA AG ]
