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HYB18M512160BF-7.5 参数 Datasheet PDF下载

HYB18M512160BF-7.5图片预览
型号: HYB18M512160BF-7.5
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内容描述: DRAM的移动应用程序512兆位的DDR移动-RAM符合RoHS标准 [DRAMs for Mobile Applications 512-Mbit DDR Mobile-RAM RoHS compliant]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 24 页 / 795 K
品牌: QIMONDA [ QIMONDA AG ]
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HY[B/E]18M512160BF
512兆位的DDR移动-RAM
功能说明
2.2
表5
CKEn-1
L
功能真值表
真值表 - CKE
CKEN
L
当前状态
掉电
自刷新
深度掉电
L
H
掉电
自刷新
深度掉电
H
L
所有银行闲置
BANK (S ) ACTIVE
所有银行闲置
所有银行闲置
H
H
命令
X
X
X
取消或NOP
取消或NOP
X
取消或NOP
取消或NOP
自动刷新
BURST TERMINATE
行动
保持掉电
保持自刷新
保持深度掉电
退出掉电
退出自刷新
退出深度掉电
进入预充电掉电
进入主动掉电
进入自刷新
进入深度掉电
笔记
1)2)3)4)
SEE
1)
2)
3)
4)
5)
6)
CKEN CKE是在时钟边沿n中的逻辑状态; CKEN -1是在前面的时钟边沿CKE的状态。
目前的状态是状态之前立即时钟边沿ñ。
COMMAND n是在时钟边沿ñ注册的命令; ACTION n是命令。N的结果。
所有国家和未显示的序列是非法或保留。
DESELECT或NOP命令应该在任何时钟发行过程中出现的边缘
t
XP
or
t
XSR
期。
从深度掉电退出需要相同的命令序列为上电初始化。
互联网数据表
8
Rev.1.80 , 2006-11
07092007-3E44-UTNM