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HYB18T512800AF-3S 参数 Datasheet PDF下载

HYB18T512800AF-3S图片预览
型号: HYB18T512800AF-3S
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内容描述: 512兆位双数据速率 - 双SDRAM的 [512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 58 页 / 3023 K
品牌: QIMONDA [ QIMONDA AG ]
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互联网数据表
HYB18T512[40/80/16]0AF(L)–[3/3S/3.7/5]
512 - Mbit的DDR2 SDRAM
1.3
订购信息
本章包括订购信息。
表5
对于符合RoHS的产品订货信息
产品型号
HYB18T512400AF–5
HYB18T512800AF–5
HYB18T512160AF–5
HYB18T512400AF–3.7
HYB18T512800AF–3.7
HYB18T512160AF–3.7
HYB18T512400AFL–3.7
HYB18T512800ALF–3.7
HYB18T512160AFL–3.7
HYB18T512400AF–3
HYB18T512800AF–3
HYB18T512160AF–3
HYB18T512400AF–3S
HYB18T512800AF–3S
HYB18T512160AF–3S
组织。速度
×4
×8
×16
×4
×8
×16
×4
×8
×16
×4
×8
×16
×4
×8
×16
P-TFBGA-84
5–5–5
333
4–4–4
266
P-TFBGA-84
P-TFBGA-60
DDR2–667
4–4–4
333
3–3–3
200
P-TFBGA-84
P-TFBGA-60
P-TFBGA-84
P-TFBGA-60
DDR2–533
4–4–4
266
3–3–3
200
P-TFBGA-84
P-TFBGA-60
DDR2–400
CAS
1)
RCD
2)
RP
3)
潜伏期
3–3–3
时钟
(兆赫)
200
CAS
RCD
RP
潜伏期
时钟
(兆赫)
P-TFBGA-60
1 ) CAS :列联系地址选通
2 ) RCD :行列延时
3 ) RP :行预充电
注:有关产品命名看
这个数据表
牧师1.71 , 2007-01
03062006-CPCN-4867
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