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HY[B/I]25D256[16/40/80]0C[E/C/F/T](L)
256 Mbit的双数据速率SDRAM
1
1.1
概观
特点
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•
•
•
自动预充电选项为每个突发访问
自动刷新和自刷新模式
RAS-锁定支持
t
RAP
=
t
RCD
7.8
µs
最大平均周期刷新间隔
2.5 V （ SSTL_2兼容）I / O
V
DDQ
= 2.5 V
±
0.2 V （ DDR200 ， DDR266 ， DDR333 ） ;
V
DDQ
= 2.6 V
±
0.1 V（ DDR400 ）
V
DD
= 2.5 V
±
0.2 V （ DDR200 ， DDR266 ， DDR333 ） ;
V
DD
= 2.6 V
±
0.1 V（ DDR400 ）
标准温度范围（ 0
°C
- +70
°C)
或工业
温度范围（ -40
°C
- +85
°C)
P- TFBGA - 60-12包3无人区行
(8
×
12 mm
2
)
P- TSOPII - 66封装
RoHS指令
1)
符合标准的产品类型可（绿色产品）
本章列出的产品系列HY的所有主要特征[B / I] 25D256 [ 16/40/80 ] 0C [E / C / F / T] （ L）和订购信息。
•双数据速率的架构：每个时钟两种数据传输
周期
•双向数据选通（ DQS）发送和
与数据接收，以便在在捕获数据被用于
接收器
• DQS是边沿对齐的数据进行读取和为中心 -
与写入的数据一致
•差分时钟输入（ CK和CK ）
•四个内部银行的并发操作
•数据掩模（DM）写入数据
• DLL对齐DQ和DQS转换与CK转换
•进入每个积极的CK边缘的命令;数据和
数据掩码参考DQS的两个边缘
•突发长度：2， 4或8个
• CAS延迟： 1.5 （ DDR200只） ， 2 ， 2.5 ， 3
表1
-5的性能， -6和-7
产品型号代码的运行速度
速度等级
马克斯。时钟
频率
部件
@CL3
@CL2.5
@CL2
–5
DDR400B
–6
DDR333B
166
166
133
–7
DDR266A
—
143
133
单位
—
兆赫
兆赫
兆赫
f
CK3
f
CK2.5
f
CK2
200
166
133
1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义
在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，
铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。
修订版2.3 ， 2007-03
03062006-8CCM-VPUW
3
QIMONDA [ QIMONDA AG ]
