互联网数据表
HY[B/I]25D256[16/40/80]0C[E/C/F/T](L)
256 Mbit的双数据速率SDRAM
表3
对含铅产品订货信息
产品类型
1)
Oganization CAS- RCD -RP时钟频率（MHz ）速度
潜伏期
×4
×8
×16
×4
×8
×16
×4
×4
×8
×16
×4
×8
×16
×8
×16
×8
×16
×8
×16
×8
×16
2.5-3-3
166
DDR333
3-3-3
200
DDR400A P- TFBGA - 60
2.5-3-3
166
DDR333
3-3-3
200
DDR400B P- TSOPII - 66 -
2.5-3-3
166
DDR333
3-3-3
143
200
DDR266A
DDR400B P- TFBGA - 60
2.5-3-3
166
DDR333
3-3-3
200
包
记
标准温度范围（ 0
°C
- +70
°C)
HYB25D256400CT–5
HYB25D256800CT–5
HYB25D256160CT–5
HYB25D256400CT–6
HYB25D256800CT–6
HYB25D256160CT–6
HYB25D256400CT–7
HYB25D256400CC–5
HYB25D256800CC–5
HYB25D256160CC–5
HYB25D256400CC–6
HYB25D256800CC–6
HYB25D256160CC–6
HYI25D256800CT–5
HYI25D256160CT–5
HYI25D256800CT–6
HYI25D256160CT–6
HYI25D256800CC–5
HYI25D256160CC–5
HYI25D256800CC–6
HYI25D256160CC–6
DDR400B P- TSOPII - 66 -
HYB25D256800CTL–6
×8
工业级温度范围（-40
°C
- +85 °C)
1 ） HYB和HYI ：代号为内存组件; 25D ： DDR SDRAM芯片的
V
DDQ
= 2.5 V ; 256 ： 256兆位密度; 400/800/160 ：产品
变化
×4, ×8
和
×16;
C：死修订版C ; L：低功耗（应要求提供） ; F / C / E / T：封装类型FBGA （导致&无卤）
FBGA （含铅） ， TSOP （铅&无卤素） ，和TSOP （含铅）
修订版2.3 ， 2007-03
03062006-8CCM-VPUW
6
QIMONDA [ QIMONDA AG ]
