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    K4J55323QF-GC20 参数 Datasheet PDF下载

    K4J55323QF-GC20图片预览
    型号： K4J55323QF-GC20
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 的256Mbit GDDR3 SDRAM [256Mbit GDDR3 SDRAM]
    分类和应用： 内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
    文件页数/大小： 49 页 / 1026 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号K4J55323QF-GC20的Datasheet PDF文件第1页浏览型号K4J55323QF-GC20的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K4J55323QF-GC20的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K4J55323QF-GC20的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K4J55323QF-GC20的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K4J55323QF-GC20的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K4J55323QF-GC20的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K4J55323QF-GC20的Datasheet PDF文件第9页  
    K4J55323QF-GC
    修订历史
    版本0.5 （ 2004年1月7日）
    - 初步规范
    - 在上电顺序添加"Dummy MRS"命令。错字更正
    256M GDDR3 SDRAM
    版本0.4 （ 2003年12月10日）
    - 初步规范
    - 修正错字
    - 增加了K4J55323QF - GC12 （ 800MHz的） ，在规格
    - 重点AC参数的变化：参考AC规格表46,47页
    。添加tDAL交流特性表中，
    。在交流特性表中-GC12加入AC参数，
    。的-GC14改变的tRC从​​31tCK到30tCK ，
    。的-GC16改变了tRFC从34tCK到33tCK ，
    - 直流变化：参考直流特性表45页。
    - 电容表的改变：请参见第45页的电容表。
    版本0.3 （ 2003年11月13日）
    - 目标规格
    - 修正错字
    - 从规范的800MHz删除
    - 改变ICC6从4mA至7毫安
    - 重点AC参数的变化：参考AC规格表46,47页
    。的-GC14改变了tWR的从6tCK到9tCK ，
    。的-GC16改变了tWR的从5tCK到8tCK ，
    。改变了-GC20 tWR的从4tCK到6tCK
    。改变tPDEX和TXSR在低功率100tCK到300tCK
    版本0.2 （ 2003年10月17日）
    - 目标规格
    - 修正错字
    版本0.1 （ 2003年9月26日）
    - 目标规格
    - 修正错字
    版本0.0 （ 2003年9月25日）
    - 目标规格
    - 3 -
    REV 1.8 （ 2005年4月）

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