K4J55323QF-GC
256M GDDR3 SDRAM
2米x 32位×4银行图形双数据速率3同步DRAM
与单向数据选通
特点
•对设备操作2.0V + 0.1V电源
• 2.0V + 0.1V电源的I / O接口
•片上端接（ ODT ）
•输出驱动强度调整由EMRS
•校准输出驱动器
•伪开漏兼容输入/输出
• 4个内部银行的并发操作
•差分时钟输入（ CK和CK ）
•进入每个积极的CK边缘命令
• CAS等待时间：5， 6，7， 8和9（时钟）
•附加延迟（ AL ） ： 0和1 （时钟）
•可编程突发长度： 4
•可编程写等待时间： 1，2， 3，4， 5和6（时钟）
•单端每字节的读选通（ RDQS ）
•单端写选通（ WDQS ）每字节
• RDQS边沿对齐的数据进行读写
• WDQS中心对齐与写入数据
•数据屏蔽（ DM ），用于屏蔽写入数据
•自动&自刷新模式
•自动预充电选项
• 32毫秒，自动刷新（ 4K周期）
• 144球FBGA
•最高时钟频率可达to700MHz
•最大数据速率可达1.4Gbps /针
• DLL的输出
订购信息
产品型号
K4J55323QF-GC14
K4J55323QF-GC15
K4J55323QF-GC16
K4J55323QF-GC20*
最大频率。
700MHz
667MHz
600MHz
500MHz
最大数据速率
1400Mbps/pin
1334Mbps/pin
1200Mbps/pin
1000Mbps/pin
伪
漏极开路
144 - 球FBGA
接口
包
* K4J55323QF - GL20 / VL20 ： VDD & VDDQ = 1.8V + 0.1V （ 1.7V 〜 1.9V ）
* K4J55323QF - V是无铅封装部件号
概述
FOR 2米x 32位×4行GDDR3 SDRAM
该8Mx32 GDDR3是268435456位超同步数据速率动态随机存储器组织成4个字2,097,152
32位，制造与三星
’s
高性能CMOS技术。有数据选通同步功能可让
极高的性能高达5.6GB / S /芯片。 I / O事务处理可在时钟周期的两端。范围
操作频率，以及可编程延迟允许该设备可用于各种高性能存储有用
系统的应用程序。
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REV 1.8 （ 2005年4月）
SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
