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K4S281632D-TC75 参数 Datasheet PDF下载

K4S281632D-TC75图片预览
型号: K4S281632D-TC75
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内容描述: 的128Mbit SDRAM 2米x 16Bit的×4银行同步DRAM LVTTL [128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
文件页数/大小: 11 页 / 114 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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K4S281632D
2米x 16Bit的×4银行同步DRAM
特点
• JEDEC标准的3.3V电源
• LVTTL与复用地址兼容
•四家银行的操作
• MRS循环地址重点项目
- 。 CAS延迟时间( 2 & 3 )
- 。突发长度(1, 2,4, 8 &全页)
- 。突发类型(顺序&交错)
•所有输入进行采样,该系统的正向边沿
时钟。
•突发读取单个位的写操作
• DQM用于屏蔽
•自动&自我刷新
• 64ms的刷新周期( 4K周期)
产品型号
K4S281632D-TC/L55
K4S281632D-TC/L60
K4S281632D-TC/L7C
K4S281632D-TC/L75
K4S281632D-TC/L1H
K4S281632D-TC/L1L
CMOS SDRAM
概述
该K4S281632D是134217728位同步高速数据
率动态RAM组织为4× 2,097,152字16
位,制造与三星的高性能CMOS
技术。同步设计,可以精确控制周期
通过使用系统时钟的I / O事务是可能的
每个时钟周期。工作频率范围,可编
竹叶提取脉冲串长度和可编程延迟允许相同
装置可用于各种高带宽,高perfor-的有用
曼斯存储器系统的应用程序。
订购信息
最大频率。
183MHz(CL=3)
166MHz(CL=3)
133MHz(CL=2)
133MHz(CL=3)
100MHz(CL=2)
100MHz(CL=3)
LVTTL
54
TSOP (II)的
接口封装
功能框图
I / O控制
LWE
数据输入寄存器
LDQM
BANK SELECT
2M ×16
2M ×16
2M ×16
2M ×16
刷新计数器
输出缓冲器
行解码器
SENSE AMP
行缓冲区
DQI
地址寄存器
CLK
添加
列解码器
上校缓冲区
延迟&突发长度
LRAS
LCBR
LCKE
LRAS
LCBR
LWE
LCAS
编程注册
LWCBR
LDQM
注册时间
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
LDQM
UDQM
*三星电子保留随时更改产品或规格,恕不另行通知。
REV 。 2001年九月0.1