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K4S281632D-TC75 参数 Datasheet PDF下载

K4S281632D-TC75图片预览
型号: K4S281632D-TC75
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内容描述: 的128Mbit SDRAM 2米x 16Bit的×4银行同步DRAM LVTTL [128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
文件页数/大小: 11 页 / 114 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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K4S281632D
AC特性
(交流工作条件,除非另有说明)
参数
CLK周期
时间
CLK为有效
输出延迟
输出数据
保持时间
CAS延时= 3
CAS延时= 2
CAS延时= 3
CAS延时= 2
CAS延时= 3
CAS延时= 2
t
CH
t
CL
t
SS
t
SH
t
SLZ
t
SHZ
t
OH
t
SAC
符号
- 55
t
CC
5.5
-
-
-
2
-
2
2
1.5
1
1
5
-
5
-
2.5
-
2.5
2.5
1.5
1
1
5
-
最大
1000
- 60
- 7C
- 75
- 1H
CMOS SDRAM
- 1L
单位
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
6
-
5
-
3
3
2.5
2.5
1.5
0.8
1
5.4
5.4
1000
7.5
7.5
5.4
5.4
3
3
2.5
2.5
1.5
0.8
1
5.4
6
1000
7.5
10
5.4
6
3
3
3
3
2
1
1
6
6
1000
10
10
6
6
3
3
3
3
2
1
1
6
7
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3
3
3
3
2
1000
10
12
6
7
ns
2
ns
1,2
1000
ns
1
CLK高脉冲宽度
CLK低脉冲宽度
输入建立时间
输入保持时间
CLK到输出中低Z
CLK到输出
在高阻
CAS延时= 3
CAS延时= 2
注意事项:
1.参数取决于编程CAS延迟。
2.如果时钟上升时间长于1ns的, (文/ 2-0.5 )纳秒应该被添加到该参数。
3.假设输入的上升和下降时间(tr & TF) = 1ns的。
如果TR & TF长于1ns的,短暂的时间补偿应该考虑,
即, [ (文+ TF) / 2-1]纳秒应该被添加到该参数。
DQ缓冲器的输出驱动特性
参数
输出上升时间
输出下降时间
输出上升时间
输出下降时间
符号
TRH
TFH
TRH
TFH
条件
测量线性
地区: 1.2V 〜 1.8V
测量线性
地区: 1.2V 〜 1.8V
测量线性
地区: 1.2V 〜 1.8V
测量线性
地区: 1.2V 〜 1.8V
1.37
1.30
2.8
2.0
3.9
2.9
典型值
最大
4.37
3.8
5.6
5.0
单位
伏/ NS
伏/ NS
伏/ NS
伏/ NS
笔记
3
3
1,2
1,2
注意事项:
基于0pF 50 + 1上升时间规范
到V
SS
,使用这些值来设计。
基于0pF + 50 2,秋季时间规范
到V
DD
,使用这些值来设计。
3.测量到50pF的唯一,使用这些值来表征。
4.所有测量完成相对于V
SS
.
REV 。 2001年九月0.1