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    K4S281632D-TC75 参数 Datasheet PDF下载

    K4S281632D-TC75图片预览
    型号： K4S281632D-TC75
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 的128Mbit SDRAM 2米x 16Bit的×4银行同步DRAM LVTTL [128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
    文件页数/大小： 11 页 / 114 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号K4S281632D-TC75的Datasheet PDF文件第1页浏览型号K4S281632D-TC75的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K4S281632D-TC75的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K4S281632D-TC75的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K4S281632D-TC75的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K4S281632D-TC75的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K4S281632D-TC75的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K4S281632D-TC75的Datasheet PDF文件第9页  
    K4S281632D
    引脚配置
    （ TOP VIEW ）
    V
    DD
    DQ0
    V
    DDQ
    DQ1
    DQ2
    V
    SSQ
    DQ3
    DQ4
    V
    DDQ
    DQ5
    DQ6
    V
    SSQ
    DQ7
    V
    DD
    LDQM
    WE
    CAS
    RAS
    CS
    BA0
    BA1
    A10/AP
    A0
    A1
    A2
    A3
    V
    DD
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    10
    11
    12
    13
    14
    15
    16
    17
    18
    19
    20
    21
    22
    23
    24
    25
    26
    27
    54
    53
    52
    51
    50
    49
    48
    47
    46
    45
    44
    43
    42
    41
    40
    39
    38
    37
    36
    35
    34
    33
    32
    31
    30
    29
    28
    V
    SS
    DQ15
    V
    SSQ
    DQ14
    DQ13
    V
    DDQ
    DQ12
    DQ11
    V
    SSQ
    DQ10
    DQ9
    V
    DDQ
    DQ8
    V
    SS
    N.C / RFU
    UDQM
    CLK
    CKE
    N.C
    A11
    A9
    A8
    A7
    A6
    A5
    A4
    V
    SS
    CMOS SDRAM
    54Pin TSOP （II）的
    （ 400mil X 875mil ）
    （0.8毫米针距）
    引脚功能说明
    针
    CLK
    CS
    名字
    系统时钟
    芯片选择
    输入功能
    活跃在正边沿采样所有输入。
    禁用或启用的设备操作，除了用屏蔽或使所有输入
    CLK ， CKE和DQM
    面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
    CKE应该启用的至少一个周期之前的新命令。
    禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
    行/列地址被复用在相同的针。
    行地址： RA
    0
    〜 RA
    11
    ，列地址： CA
    0
    〜 CA
    8
    选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
    在列地址锁存器时选择的读/写的银行。
    锁存器与RAS低CLK的正边沿行地址。
    让行存取&预充电。
    闩锁与中科院低CLK的正边沿列地址。
    启用列的访问。
    允许写操作和行预充电。
    锁存来自中科院，我们开始积极的数据。
    使得数据输出高阻，T
    SHZ
    后的时钟和掩模的输出。
    块中的数据输入时， L（ U） DQM活跃。
    数据输入/输出复用在相同的针。
    电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
    对于输出缓冲隔离电源和接地，以提供改进的噪音
    免疫力。
    该引脚建议留在设备上的连接。
    CKE
    时钟使能
    A
    0
    ~ A
    11
    BA
    0
    〜 BA
    1
    RAS
    CAS
    WE
    L（ U） DQM
    DQ
    0
    ~
    15
    地址
    银行选择地址
    行地址选通
    列地址选通
    写使能
    数据输入/输出面膜
    数据输入/输出
    电源/接地
    数据输出电源/接地
    无连接
    /保留为将来使用
    V
    DD
    /V
    SS
    V
    DDQ
    /V
    SSQ
    N.C / RFU
    REV 。 2001年九月0.1

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