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    K4S281632D-TC75 参数 Datasheet PDF下载

    K4S281632D-TC75图片预览
    型号： K4S281632D-TC75
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 的128Mbit SDRAM 2米x 16Bit的×4银行同步DRAM LVTTL [128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
    文件页数/大小： 11 页 / 114 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号K4S281632D-TC75的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K4S281632D-TC75的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K4S281632D-TC75的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K4S281632D-TC75的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K4S281632D-TC75的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K4S281632D-TC75的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K4S281632D-TC75的Datasheet PDF文件第9页浏览型号K4S281632D-TC75的Datasheet PDF文件第10页  
    K4S281632D
    DC特性
    （推荐的工作条件，除非另有说明，T
    A
    = 0 〜70℃ ）
    参数
    符号
    测试条件
    -55
    工作电流
    （一银行活动）
    预充电待机电流
    租在掉电模式
    I
    CC1
    I
    CC2
    P
    I
    CC2
    PS
    I
    CC2
    N
    突发长度= 1
    t
    RC
    ≥
    t
    RC
    （分钟）
    I
    O
    = 0毫安
    CKE
    ≤
    V
    IL
    （最大值），叔
    CC
    = 10ns的
    CKE & CLK
    ≤
    V
    IL
    （最大值），叔
    CC
    =
    ∞
    CKE
    ≥
    V
    IH
    （分钟） ， CS
    ≥
    V
    IH
    （分钟） ，T
    CC
    = 10ns的
    输入信号时为20ns一次改变
    130
    -60
    130
    CMOS SDRAM
    VERSION
    -7C
    110
    2
    2
    20
    -75
    -1H -1L
    单位注
    100 100 100
    mA
    1
    mA
    预充电待机电流
    租在非掉电
    模式
    CKE
    ≥
    V
    IH
    （分钟） ， CLK
    ≤
    V
    IL
    （最大值），叔
    CC
    =
    ∞
    I
    CC2
    NS
    输入信号是稳定的
    I
    CC3
    P
    I
    CC3
    PS
    I
    CC3
    N
    I
    CC3
    NS
    CKE
    ≤
    V
    IL
    （最大值），叔
    CC
    = 10ns的
    CKE & CLK
    ≤
    V
    IL
    （最大值），叔
    CC
    =
    ∞
    CKE
    ≥
    V
    IH
    （分钟） ， CS
    ≥
    V
    IH
    （分钟） ，T
    CC
    = 10ns的
    输入信号时为20ns一次改变
    CKE
    ≥
    V
    IH
    （分钟） ， CLK
    ≤
    V
    IL
    （最大值），叔
    CC
    =
    ∞
    输入信号是稳定的
    I
    O
    = 0毫安
    第一阵
    4Banks激活
    t
    CCD
    = 2CLKs
    t
    RC
    ≥
    t
    RC
    （分钟）
    CKE
    ≤
    0.2V
    C
    L
    mA
    10
    5
    5
    30
    25
    mA
    mA
    在活动待机电流
    掉电模式
    mA
    在活动待机电流
    非掉电模式
    （一银行活动）
    工作电流
    （突发模式）
    刷新当前
    自刷新电流
    I
    CC4
    150
    150
    140
    140 130 130
    mA
    1
    I
    CC5
    I
    CC6
    220
    220
    220
    2
    200 190 190
    mA
    mA
    uA
    2
    3
    4
    800
    注意事项：
    1.测量与产出开放。
    2.刷新周期是64毫秒。
    3. K4S281632D -TC **
    4. K4S281632D -TL **
    5.除非另有说明，输入摆动IeveI是CMOS （Ⅴ
    IH
    /V
    IL
    =V
    DDQ
    /V
    SSQ ）
    REV 。 2001年九月0.1

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