HFP630 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HFP630
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内容描述：	200V N沟道MOSFET [200V N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 296 K
品牌：	SEMIHOW [ SEMIHOW CO.,LTD. ]

HFP630

电气特性

=25

°C

符号

参数

除非另有说明

测试条件

民

典型值

最大

单位

基本特征

DS （ ON）

栅极阈值电压

静态漏源

导通电阻

= V

, I

= 250

㎂

= 10 V，I

= 4.5 A

2.0

0.34

4.0

0.4

Ω

开关特性

DSS

漏源击穿V LT

ð I S

B KD

电压

= 0 V I

= 250

㎂

= 250

㎂，引用to25 ℃

= 200 V, V

= 0 V

= 160 V，T

= 125℃

= 30 V, V

= 0 V

= -30 V, V

= 0 V

200

0.2

100

-100

V/℃

㎂

㎁

ΔBV

DSS

击穿电压温度

系数

/ΔT

DSS

GSSF

GSSR

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，

前锋

门体漏ç

克叔B D L·K

目前，

反向

动态特性

国际空间站

OSS

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

= 25 V, V

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

550

720

110

㎊

开关特性

D（上）

D（关闭）

开启时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

（注4,5 ）

= 100 V，I

= 9.0 A,

= 25

Ω

4.0

140

120

130

㎱

= 160 V，I

= 9.0 A,

= 10 V

（注4,5 ）

源极 - 漏极二极管的最大额定值和特性

TRR

QRR

连续源极 - 漏极二极管的正向电流

脉冲源极 - 漏极二极管的正向电流

源漏

源极 - 漏极二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

= 9 0 A V

= 0 V

9.0 A,

= 9.0 A，V

= 0 V

/ DT = 100 A / μs的

（注4 ）

140

0.87

9.0

1.5

㎱

μC

注意事项;

1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温

2， L = 3MH ，我

= 9.0A ，V

= 50V ，R

= 25Ω ，起始物为

=25°C

3. I

≤9.0A,

DI / dt≤300A / μs的，V

ΔBV

DSS

，起始物为

=25

°C

4.脉冲测试P L

4 P L T T：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比C L

≤

300

ð吨循环

5.基本上是独立工作温度

◎ SEMIHOW REV.A0 ， 2005年7月

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