HFP630 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HFP630
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内容描述：	200V N沟道MOSFET [200V N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 296 K
品牌：	SEMIHOW [ SEMIHOW CO.,LTD. ]

HFP630

典型特征

（续）

图7.击穿电压变化

与温度

图8.导通电阻变化

与温度

，德拉电流[ A]

艾因

100

125

150

，外壳温度[

℃

]

图9.最高安全工作区

图10.最大漏极电流

对C

牛逼的情况下

温度

D = 0 .5

0 .2

0 .1

※

N 2 O TE S：

1 . Z

J·C

t) = 1 .7 4

℃

/ W M A X 。

(

2 。 ð ü TY F A C到R，D = T

3 . T

J·M

- T

= P

D M

* Z

J·C

(

的Therma响应

(t),

-1

0 .0 5

0 .0 2

0 .0 1

S IN克乐P ü LS ê

-2

-5

-4

-3

-2

-1

，S单方W¯¯ AVE P ü LS E D市建局TIO N [秒]

图11.瞬态热响应曲线

11 T

我第t

◎ SEMIHOW REV.A0 ， 2005年7月

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