HFP630 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HFP630
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内容描述：	200V N沟道MOSFET [200V N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 296 K
品牌：	SEMIHOW [ SEMIHOW CO.,LTD. ]

HFP630

典型特征

图1.地区特点

图2.传输特性

图3.导通电阻变化VS

漏电流和栅极电压

图4.体二极管正向电压

变化与源电流

和温度

1000

900

800

国际空间站

= C

+ C

=短路）

OSS

= C

+ C

RSS

= C

= 40V

，栅源电压[V]

= 100V

= 160V

Capacitanc [ pF的]

CES

700

600

500

国际空间站

OSS

※

注意;

1. V

= 0 V

2. F = 1 MHz的

400

300

200

100

-1

RSS

※

注：我

= 9A

，漏源电压[V]

，总栅极电荷[ NC ]

图5.电容特性

图6.栅极电荷特性

◎ SEMIHOW REV.A0 ， 2005年7月

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