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对于读阵列数据要求
从输出读阵列数据，系统必须驱动CE＃和OE ＃管脚到V
IL
.
CE＃为功率控制和选择器件。 OE ＃是输出控制和门阵列
数据到输出引脚。 WE＃应保持在V
IH
.
内部状态机设置为在器件上电时读取阵列数据，或者在一个硬
洁具复位。这就保证了存储器内容的无杂散变更期间发生
权力过渡。没有命令是必要的，此模式以获得阵列的数据。标准MI-
croprocessor阅读断言有效地址的器件地址输入产生的周期
上的设备的数据输出有效数据。该器件保持启用，直到读访问
命令寄存器的内容被改变。
SEE
了解更多信息。参见AC只读能操作
ations表定时规范和
为时序图。
请参考直流特性表的有功电流规格的读取阵列数据。
页面模式读取
该装置能够读取快速页模式，并且与页模式面膜兼容
ROM读操作。该模式可提供更快的读取访问速度范围内的任意位置
一个页面。该装置的页大小是8个字/ 16字节。相应的页面被选中
高位地址A（最大值） -A3 。地址位A2- A0字模式（ A2 -A - 1字节模式）
判断一个页面内的特定词。这是一个异步操作;该微处理器的
处理器提供了专用字位置。
随机或初始页面访问等于t
加
或T
CE
而随后的页面读取访问
（只要由微处理器指定的位置落在了页内）等效
给T
PACC
。当CE＃撤除，并重申了后续访问，访问时间
为t
加
或T
CE
。快页模式访问是通过保持“阅读页面地址”获得
恒定和改变“帧内阅读网页”地址。
写命令/命令序列
写一个命令或命令序列（包括编程数据到设备
和擦除的存储器扇区） ，系统必须驱动WE＃和CE ＃到V
IL
和OE ＃到V
IH
.
该器件具有一个
解锁绕道
模式，以方便更快速的编程。一旦DE-
副进入解锁旁路模式，只有两个写周期需要编程一个字或
字节，而不是四个。在“ Word程序命令序列”部分对亲细节
编程数据使用标准和解锁绕道命令序列的设备。
擦除操作可以擦除一个扇区，多个扇区或整个设备。
和
指示的地址空间，每
界占有。
请参考直流特性表的有功电流规格为写模式。
AC特性部分包含时序规格表和时序图
写操作。
写缓冲器
写缓冲区编程使系统写入到最大的16个字/在一个32字节
编程操作。这导致更快的有效编程时间比标准
编程算法。看
了解更多信息。
加快程序运行
该设备通过ACC功能提供加速方案业务。这是一
通过WP ＃ / ACC引脚提供两个功能。此功能的主要目的是允许更快
制造吞吐率在出厂。
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S29GL -N的MirrorBit ™闪存系列
2006年S29GL - N_00_B3 10月13日，
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