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S29GL128N11FAIV10 参数 Datasheet PDF下载

S29GL128N11FAIV10图片预览
型号: S29GL128N11FAIV10
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内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 100 页 / 2678 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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D A T A
中文ê (E T)
自选模式
自选模式提供了制造商和设备标识,和行业组亲
tection验证,通过DQ7 - DQ0识别码输出。此模式是主要
用于编程设备来自动匹配的设备进行编程
与其相应的规划算法。然而,在自动选择的代码也可以被响应
通过命令寄存器cessed在系统。
当使用编程设备,自动选择模式,需要VID的地址引脚A9 。
地址引脚A6, A3,A2 , A1和A0时必须如图所示
此外,
当验证扇区保护,扇区地址必须出现在最合适的
地址位(见
显示剩余的地址
这是位不关心。当所有必要的位已经被设置为需要时,编程
那么设备可以读取相应的识别码在DQ7 - DQ0 。
访问自动选择代码在系统中,主机系统可以发出自动选择命令
通过命令寄存器,如图
方法不需要V
ID
。参阅
了解更多信息。
表5 。
描述
CE#
OE #
A22t
WE#
o
A15
H
X
自选代码(高压法)
A14
to
A10
X
A9
A8
to
A7
X
A6
A5
to
A4
X
A3
to
A2
L
L
DQ8到DQ15
A1
A0
BYTE #
= V
IH
00
22
22
22
22
22
22
22
22
22
X
BYTE #
= V
IL
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
DQ7到DQ0
制造商ID :
Spansion公司产品
器件ID
器件ID
器件ID
S29GL128N S29GL256N S29GL512N
循环1
周期2
周期3
循环1
周期2
周期3
循环1
周期2
周期3
L
L
V
ID
L
L
L
H
H
L
H
H
L
H
H
H
L
H
L
H
H
L
H
H
L
H
L
01h
7Eh
23h
01h
7Eh
22h
01h
7Eh
21h
01h
01H (被保护) ,
00H (无保护)
98H (工厂锁定) ,
18小时(没有工厂锁定)
L
L
H
X
X
V
ID
X
L
X
H
H
L
L
L
H
X
X
V
ID
X
L
X
H
H
L
L
L
H
X
X
V
ID
X
L
X
H
H
业集团
验证保护
安全硅行业
指示位( DQ7 )
WP #保护最高
地址部门
安全硅行业
指示位( DQ7 )
WP #最低保护
地址部门
L
L
H
SA
X
V
ID
X
L
X
L
L
L
H
X
X
V
ID
X
L
X
L
H
H
X
X
L
L
H
X
X
V
ID
X
L
X
L
H
H
X
X
88H (工厂锁定) ,
08H (未出厂锁定)
图例:
L =逻辑低= V
IL
,H =逻辑高电平= V
IH
, SA =扇区地址,X =无关。
2006年S29GL - N_00_B3 10月13日,
S29GL -N的MirrorBit ™闪存系列
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