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S29GL128N11FAIV10 参数 Datasheet PDF下载

S29GL128N11FAIV10图片预览
型号: S29GL128N11FAIV10
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内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 100 页 / 2678 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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中文ê (E T)
密码扇区保护
密码扇区保护方法使安全性比的Per-了一个更高的水平
sistent扇区保护方法。有持久性之间有两个主要区别
部门保护和密码扇区保护方法:
当设备第一次开机,或者出来了复位操作后, PPB锁定位被设置
到锁定状态,或在冷冻状态,而不是被清除到非锁定状态,或
解冻状态。
清理和解冻PPB锁定位的唯一方法是通过编写一个唯一的64位密码
字的装置。
密码扇区保护方法,在其它方面与持久性行业保护
化方法。
一个64位的密码是在该方法中所用的唯一的额外的工具。
密码被存储在一次性可编程(OTP)区的闪存存储器的外
ORY 。一旦密码保护模式锁定位被设置,密码将被永久设置
绝不是读,程序或删除它。该密码用于清除和解冻PPB
锁定位。密码解锁命令必须被写入闪存,以及一个口令。
闪存设备内部给定的密码与预先设定的密码进行比较。
如果它们匹配, PPB锁定位被清除的
解冻状态,
和PPB位可以是
改变。如果它们不匹配,则闪光装置不执行任何操作。有一个内置的2微秒的延迟
密码检查
为PPB锁定位输入有效的64位密码后,将
清了“解冻状态” 。此延迟的目的是阻止运行程序的任何努力
试图以破解密码的所有可能的组合。
密码和密码保护模式锁定位
为了选择密码扇区保护法,客户必须先计划
密码。工厂建议该密码以某种方式相关联的
在特定的闪光装置的独特的电子序列号(ESN ) 。每个ESN的是对于不同的
每个闪存设备;因此,每个密码应该是每一个闪存设备不同。而
在密码区域编程,客户可以执行密码读取操作。
一旦所需的密码编程,客户必须然后设置密码亲
tection模式锁定位。此操作实现两个目标:
1.永久设置使用密码保护模式下运行的设备。它不是
可能扭转这一功能。
2.它也禁止所有进一步的命令将密码区。所有的程序和读操作
ations被忽略。
这两个目标是重要的,如果没有仔细考虑,可能会导致不可恢复
erable错误。用户必须确保密码扇区保护方法所需
编程时,密码保护模式锁定位。更重要的是,用户必须
确保密码正确时,密码保护模式锁定位是亲
编程。由于读取操作被禁止的事实,没有办法读什么
密码之后。如果编程密码后,密码丢失保护
化模式锁定位,有没有办法清除和解冻PPB锁定位。密码
保护模式锁定位,一旦设定,可以防止读取的64位密码的DQ
公交车和进一步密码编程。密码保护模式锁定位不eras-
能。一旦密码保护模式锁定位进行编程,持久保护模式
锁定位从编程禁用,保证不改变保护
计划是允许的。
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S29GL -N的MirrorBit ™闪存系列
2006年S29GL - N_00_B3 10月13日,