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S29GL128N11FAIV10 参数 Datasheet PDF下载

S29GL128N11FAIV10图片预览
型号: S29GL128N11FAIV10
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内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 100 页 / 2678 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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状态。它们被称为动态的状态,因为它是非常容易来回切换BE-
补间的保护和未保护的条件。这使得软件能够轻松保护
防止意外改变行业还并不妨碍易拆卸保护
当需要改变。
该DYB位可能设置或清除需要经常。该PPB位允许更静,
并且难以改变,保护水平。该PPB位保持上电后的状态
因为他们是非易失性的。个人PPB位都设置了程序指令,但必须
所有被清除为一组,通过擦除命令。
该PPB锁定位增加了额外的保护水平。一旦所有PPB位被编程为
所需的设置, PPB锁定位可以被设置为“冻结状态” 。设置PPB锁定
位为“冻结状态”禁用所有编程和擦除命令给非易失性PPB
位。实际上, PPB锁定位锁定PPB位到其当前状态。以唯一的办法
清除PPB锁定位的“解冻状态”,是要经过一个电源周期或硬件
复位。软件复位命令并不清除PPB锁定位的“解冻状态” 。
系统启动代码可以判断是否需要任何改变PPB位如:允许新
系统代码被下载。如果不需要更改,然后启动代码可以设置PPB
锁定位系统运行期间禁止任何进一步的改变PPB位。
在WP #写保护引脚加上硬件保护的最终水平。当该引脚为低电平时是
无法改变的WP #保护方面的内容。这些行业一般
持系统启动代码。因此, WP #引脚可以防止任何修改启动代码,可以
覆盖而在系统初始化时设置扇区保护作出的选择。
有可能有已经持续锁定扇区,而留在扇区
动态的状态。在动态状态下的部门都是不受保护的。如果有必要
保护一些人,简单DYB设置命令序列一切必要。该DYB
设置和DYB清除命令为行业动态切换DYB位来表示保护
和未受保护的分别。如果有必要改变的持续状态
锁定的行业,都需要几个步骤。首先, PPB锁定位必须禁用的
通过上电周期或硬件复位或者将设备的“解冻状态” 。该
PPB位可以被改变,以反映所需的设置。设置PPB锁定位一次
再以“冻结状态”锁定PPB位,设备恢复正常运行。
为了达到最好的保护,早在启动代码执行PPB锁定位设置命令,
保护引导代码通过举办WP # = V
IL
.
持久保护位( PPB )
单个持久(非易失性)保护位被分配给每个扇区。如果PPB为亲
通过“ PPB程序”命令编程,以保护状态,该部门是
保护,编程或擦除操作是只读的。如果一个PPB需要删除,所有的
部门PPB位必须先通过“所有PPB删除”命令删除并行。 “所有
PPB擦除“命令preprograms之前PPB擦除所有PPB位。所有PPB位擦除杆
等位基因,不同的编程个别PPB位都是可编程的。该PPB位具有
同样耐力的闪存。
编程PPB位需要典型字编程时间不利用
写缓冲器。在一个PPB位的规划和所有PPB位擦除顺序执行时,
DQ6切换位I切换至PPB的编程位或全部PPB​​位擦除了
完成指示的编程和擦除状态。删除所有的PPB位一次重新
张塌塌米的典型扇区擦除时间。在所有的PPB位的擦除时, DQ3扇区擦除定时器
位输出一个1 ,以指示所有PPB位的擦除正在进行中。当所有的擦除
PPB位完成后, DQ3扇区擦除定时器位输出0 ,表示所有PPB
位已被删除。读PPB状态位,需要的初始访问时间
装置。
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S29GL -N的MirrorBit ™闪存系列
2006年S29GL - N_00_B3 10月13日,