1兆位页模式EEPROM
SST29EE010 ， SST29LE010 ， SST29VE010
芯片被取消，只待机功耗。
OE＃为输出控制，并从用于门数据
的输出引脚。数据总线处于高阻抗状态
当CE＃或OE ＃为高电平。指的是读周期
时序图进一步的细节（图3） 。
写
页写的SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010
应始终使用JEDEC标准软件数据
保护（ SDP）的3字节的命令序列。该
29EE010 / 29LE010 / 29VE010包含可选
JEDEC核准的软件数据保护方案。
SST建议的SDP总是被使能，由此，所述
写操作的描述将使用给出
SDP启用格式。
3字节SDP启用和SDP
写命令是相同的;因此，任何时候
发出SDP写命令，软件的数据保护
化自动保证。
第一次的3个字节的
给出的SDP命令，该设备变为SDP烯
体健。随后发出同一命令的
绕过被写入页面的数据保护。
在所希望的页的写入结束时，整个装置
仍然受到保护。有关更多说明，请
见“的正确使用JEDEC的应用笔记
标准软件数据保护“和”保护
对无意识使用单电源时
在这本书的数据供应闪光的记忆“ 。
的写操作包括三个步骤。步骤1是
软件数据保护3字节装入序列。
步骤2是字节负载周期的页缓冲器
29EE010 / 29LE010 / 29VE010 。步骤1和步骤2使用
同一时刻的两个操作。步骤3是内部
控制的写周期写入在加载的数据
页面缓存到非易失性stor-存储器阵列
年龄。在双方的SDP 3字节装入序列和
字节负载周期中，地址由下落锁存
边缘CE＃或WE＃ ，最后为准。该
数据是通过CE＃或WE ＃的上升沿锁存，
以先到为准。内部写周期开始
通过T
BLCO
之后WE＃或CE ＃的上升沿定时器，
以先到为准。写周期，一旦启动，将
在5毫秒内继续完成，典型地。参见图 -
URES 4和5 WE＃和CE ＃控制的页面写周期
时序图和图14和图16为流程图。
写操作有三个功能循环：在
软件数据保护负载序列，页面加载速度
周期，并且内部写周期。该软件数据
保护由一个特定的3个字节负载SE-
quence ，允许写入到所选择的页，并将
离开29EE010 / 29LE010 / 29VE010在受保护
页写的结尾。页面加载周期由
加载数据的1到128个字节到页缓冲器。该
内部写周期由T形
BLCO
超时和
写定时器操作。在写操作中，只
有效的读操作是数据＃查询和翻转位。
页面 - 写操作允许多达128的装载
数据的字节数进29EE010的页缓冲器/
内部开始前29LE010 / 29VE010
写周期。在内部写周期中，所有的数据
页缓冲器被同时写入到存储器
数组。因此，对29EE010页写的功能/
29LE010 / 29VE010允许写入整个存储器
在低至5秒。在内部写周期，
主机可以自由地执行其他任务，如对
取系统中的设置在其他位置进行数据的
写入到下一个页面。在每一页写操作，所有
被加载到页缓冲器中的字节必须具有
在同一个页面的地址，即
7
至A
16
。任何字节不
装入用户数据将被写入到FF 。
看到该页面 - 写周期时序图4和图5
图。如果完成了3字节的SDP负载的后
序或初始字节负载周期，主机加载
内的字节负载周期第二字节到页缓冲器
时间（t
BLC
） 100微秒时， 29EE010 / 29LE010 / 29VE010
会留在页面加载的周期。额外的字节，然后
连续加载。页面加载周期会termi-
如果没有额外的字节装入页缓冲器经过NAT
在200微秒（T
BLCO
）从最后的字节装载周期，即
高到低转换后没有后续WE＃或CE ＃
WE＃或CE ＃的最后一个上升沿。在页数据
缓冲器可以通过随后的字节负载周期而改变。
页面加载时间可无限期地继续下去，只要
作为宿主继续到字节级内加载装置
100μs的负载周期。要加载的页面是
通过加载的最后一个字节的页地址来确定。
软件芯片擦除
该29EE010 / 29LE010 / 29VE010提供了全片擦除
操作，从而使用户可以同时清楚
整个存储器阵列的“1”状态。这是非常有用的
当整个装置必须迅速删除。
通过使用启动软件芯片擦除操作
具体的6字节装入序列。负载SE-后
quence ，该器件进入内部定时的周期
类似于写周期。在擦除操作，
唯一有效的阅读是触发位。请参阅表4为负载
序列，图9为时序图，图18为
的流程图。
©1998硅存储技术公司
2
304-04 12/97
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
