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SST36VF1601E-70-4I-EKE 参数 Datasheet PDF下载

SST36VF1601E-70-4I-EKE图片预览
型号: SST36VF1601E-70-4I-EKE
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内容描述: 16兆位( X8 / X16 )并行的SuperFlash [16 Mbit (x8/x16) Concurrent SuperFlash]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 35 页 / 420 K
品牌: SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
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16兆位并行的SuperFlash
SST36VF1601E / SST36VF1602E
数据表
超快闪技术提供固定的擦除和编程
倍,独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此,系统软件
或硬件没有被修改或降额,是
必要时与其他闪存技术,其
擦除和编程累积次数的增加
擦除/编程周期。
为了满足高密度,表面贴装的要求,这些
器件采用48球TFBGA封装和48引脚TSOP
包。参见图5和图6引脚分配。
读操作
读操作通过CE#和OE #控制;两
要低,以便系统从所述输出数据获取
放。 CE#用于器件选择。当CE #为高电平,
该芯片被取消选中,只有待机功耗所配置
SUMED 。 OE#为输出控制,用于栅极的数据
从输出引脚。数据总线处于高阻抗
状态时,无论CE #或OE #为高电平。参考读
对于进一步的细节周期的时序图(图7) 。
程序运行
设备操作
内存操作函数使用的是标准的发起
微处理器写入序列。一个命令写的是
WE#置为低电平,同时保持CE #低。地址
公交车被锁在WE#或CE #下降沿,而─
发生过去年。数据总线被锁存的上升沿
WE#或CE# ,先到为准。
这些设备被编程在字的字或
逐字节的基础视的字节#状态
引脚。在编程之前,必须确保该扇区
正被编程的完全擦除。
程序操作完成三个步骤:
1.软件数据保护正在使用的开始
3字节装入序列。
2.地址和数据被加载。
在编程操作期间,地址是
锁存, CE#或WE#的下降沿,
为准过去。该数据被锁存的
任CE #或WE #上升沿为准
先发生。
3.后启动内部编程操作
第四WE #或CE #上升沿,而─
先出现。编程操作,一旦ini-
tiated ,将在7微秒通常完成。
参见图8和图9为WE #和CE#控制程序
操作时序图,图23的流程图。
在编程操作期间,唯一有效的读操作
数据#查询和翻转位。在内部编程
操作时,主机可以自由地执行其他任务。任何
内部程序运行过程中发出的命令
将被忽略。
自动低功耗模式
这些器件还具有
自动低功耗
模式
这使他们在附近待机状态下不到500纳秒
数据后已经被访问同一个有效的读操作。
这降低了我
DD
读操作工作电流为4 μA典型。
当CE#为低电平时,器件自动退出低功耗模式
所使用的任何地址变换或控制信号转换
启动另一个读周期中,没有获得一次罚球。
并行读/写操作
这些设备的双岸结构允许
并发读/写操作,由此,用户可以
从一个银行的同时读取编程或擦除在
其他银行。例如,读取系统的代码在一个银行
而在其他银行的更新数据。
C
成为当前
R
EAD
/W
RITE
S
TATE
银行1
无操作
无操作
2银行
无操作
无操作
注意:
此表的目的,写入装置来执行块擦除
或扇区擦除或编程操作适用于
合适的银行。
©2005硅存储技术公司
S71274-03-000
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