16兆位并行的SuperFlash
SST36VF1601E / SST36VF1602E
数据表
扇区擦除/块擦除操作
这些器件同时提供扇区擦除和块擦除
操作。这些操作允许系统来擦除
上一个扇区到扇区（或块逐块）为基础的设备。该
扇区结构是基于2的均匀的扇区大小
KWord的。在块擦除方式是基于均匀块
的32K字的大小。通过启动扇区擦除操作
执行一个6字节的命令序列，与以部门
在过去的擦除命令（ 30H）和扇区地址（SA）
总线周期。由execut-发起的块擦除操作
荷兰国际集团与块擦除的COM一个6字节的命令序列
命令（ 50H ）和块地址（ BA ）在最后一个总线周期。
扇区或块地址被锁存的下降沿
第六WE ＃脉冲，而命令（ 30H或50H ）是
锁定第6个WE ＃脉冲的上升沿。该间
第六WE ＃脉冲后最终擦除操作开始。任何
在扇区擦除或块擦除操作期间发出的命令
化被忽略，除非擦除暂停和使用擦除
简历。对于时序波形见图13和14 。
擦除暂停/擦除恢复运营
在擦除暂停操作暂时挂起
部门或块擦除操作从而使数据能够
从任何存储单元读取或程序数据到任何
行业/未暂停擦除操作块。
该操作通过发出一个字节的命令执行
序列擦除暂停命令（ B0H ） 。该
设备会自动进入阅读模式，不超过10微秒
后擦除暂停命令已发出。 （T
ES
最大等待时间等于10微秒。 ）有效的数据可被读
从没有从任何暂停扇区或块
擦除操作。在使用擦除读地址的位置
悬浮部门/块将输出DQ
2
翻转，
DQ
6
在“1” 。而在擦除暂停模式时，程序
允许除选定的扇区或块操作
擦除暂停。要恢复扇区擦除或块
擦除操作已被暂停，该系统
必须发出擦除继续命令。该操作是
通过发出一个1字节的命令序列执行
在对单的任何地址擦除继续命令（ 30H ）
字节序列。
芯片擦除操作
该器件提供了全片擦除操作，这使得
用户可以清除所有部门/块到“ 1 ”的状态。这是
有用的设备必须快速擦除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）
在最后一个字节序列地址555H 。擦除
操作开始的6个WE＃上升沿或
CE＃ ，以先到为准。在擦除操作，
唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。所有的COM
全片擦除操作期间发出的要求主要
忽略不计。参见表5所示的指令序列，图
12为时序图，和图27的流程图。
当WP＃为低电平时，任何企图片擦除会
忽略不计。
写操作状态检测
这些器件提供了一个硬件和软件2
方法来检测完成的写（编程或
擦除）循环，以优化系统写周期
时间。硬件检测使用就绪/忙＃ （ RY /
BY＃ ）输出引脚。该软件的检测包括两个台站
状态位：数据＃查询（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。该
写操作结束后的上升检测模式被使能
边WE＃ ，启动内部编程或擦除
操作。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是就绪/忙＃ （ RY /
BY ＃ ） ，数据＃投票（ DQ
7
） ，或翻转位（ DQ
6
）读得
是同时与写周期完成的。如果
发生这种情况时，系统可能会得到错误的结果，即
有效数据可能会与DQ发生冲突
7
或者DQ
6
。在
为了防止杂散抑制，如果错误的结果
发生时，软件程序应包括一个循环读取
所访问的位置的附加两（2）倍。如果两个
读操作是有效的，那么写周期已完成，其它 -
明智的拒绝是有效的。
©2005硅存储技术公司
S71274-03-000
11/05
3
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
