16兆位并行的SuperFlash
SST36VF1601E / SST36VF1602E
数据表
就绪/忙＃ （ RY / BY ＃ ）
该器件包含一个就绪/忙＃ （ RY / BY ＃ ）输出显
宇空。 RY / BY ＃是漏极开路输出引脚，用于指示
擦除或编程操作是否正在进行。
由于RY / BY ＃是漏极开路输出，它允许多个
设备并行地连接到V
DD
通过一个外部上拉
电阻器。经过最后的WE ＃脉冲的上升沿
命令序列中， RY / BY ＃状态有效。
当RY / BY＃正在积极拉低时，表示一个
擦除或编程操作正在进行中。当RY / BY ＃
是高（就绪） ，该设备可以被读出或在待机
模式。
触发位（ DQ
6
和DQ
2
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
将产生交变'1'
和'0' ，即0. 1至切换当内部
编程或擦除操作完成后， DQ
6
位会
停止切换。该设备然后准备下一次操作
化。切换位之后的第四个上升沿有效
WE＃ （或CE ＃）脉冲的程序操作。对于扇区，
块擦除或全片擦除，翻转位（ DQ
6
）是后的有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿。 DQ
6
将被设置为
“ 1 ” ，如果读操作试图对擦除可持
挂起的扇区/块。如果在开始编程操作
在没有选择的扇区/块擦除暂停模式时， DQ
6
将
切换。
另外一个触发位可在DQ
2
，它可以是
与DQ配合使用
6
检查是否一个特定的
部门正在积极擦除或擦除暂停。表1
显示详细的状态位信息。切换位（ DQ
2
)
为有效后，最后WE ＃ （或CE ＃ ）的上升沿脉冲
的一个写操作。图11给出了翻转位时序
图，图24为一个流程图。
表1 ：W
RITE
O
PERATION
S
TATUS
状态
正常
标准
操作计划
标准
抹去
使用擦除
暂停
模式
从阅读
抹去
暂停
扇区/块
从阅读
非擦除
暂停
扇区/块
节目
DQ
7
DQ7#
0
1
DQ
6
切换
切换
1
DQ
2
无切换
切换
切换
RY / BY ＃
0
0
1
字节/字（ BYTE ＃ ）
该装置包括一个BYTE ＃引脚来控制是否
设备数据I / O引脚均x8或x16 。如果BYTE ＃引脚
在逻辑“1” （Ⅴ
IH
）该装置是在x16的数据结构：所有
数据I / 0引脚DQ
0
-DQ
15
是活动的，由CE＃控制
和OE ＃ 。
如果BYTE ＃引脚为逻辑“0”时，设备处于x8的数据CON-
成形：唯一的数据I / O引脚DQ
0
-DQ
7
活跃和反对
通过CE＃和OE ＃控制。引脚DQ剩余的数据
8
-
DQ
14
处于高阻，而引脚DQ
15
被用作地址
输入A
-1
用于地址总线的最低有效位。
数据＃投票（ DQ
7
)
当设备处于内部程序运行过程中，
试图读取DQ
7
将产生的补
真正的数据。一旦程序操作完成后， DQ
7
将产生真正的数据。在内部擦除操作，任何
试图读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦内部
擦除操作完成时， DQ的
7
将产生一个'1'。该
之后的第4个WE ＃上升沿数据＃投票是有效的（或
CE＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，块，或
芯片擦除，数据＃查询后上升沿有效
第六WE ＃ （或CE ＃）脉冲。参见图10为数据＃ Poll-
ING （ DQ
7
）的时序图和图24为一个流程图。
数据
数据
数据
1
DQ7#
切换
不适用
0
T1.1 1274
注意：
DQ
7,
DQ
6,
和DQ
2
阅读时需要一个有效的地址
状态信息。该地址必须是在银行那里
该操作正在进行中，以读出的动作台站
土族。如果该地址指向一个不同的银行（不忙）
该器件将输出数组数据。
©2005硅存储技术公司
S71274-03-000
11/05
4
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
