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T15N1024A-100CI 参数 Datasheet PDF下载

T15N1024A-100CI图片预览
型号: T15N1024A-100CI
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内容描述: 128K ×8低功耗CMOS静态RAM [128K X 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 13 页 / 93 K
品牌: TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
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tm
TE
CH
T15N1024A
工作特性
( VCC = 2.4V至3.6V , GND = 0V ,TA =
0 ~ +70
°C
/ -40 ° C至85°C )
参数
输入漏
当前
输出漏
当前
符号。
I
LI
测试条件
VCC =最大,
V
IN
= GND到Vcc
CE1
= V
IH
或CE2 = V
IL
-55
最大
-70
最大
-100
最大
单位
uA
-
1
-
1
-
1
I
LO
or
OE
= V
IH
or
WE
= V
IL
V
OUT
= GND到Vcc
CE1
= V
IL
, CE2 = V
IH ,
-
1
-
1
-
1
uA
工作电源
电源电流
I
CC
WE
=V
IH ,
OE
= V
IH
,
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素,
I
OUT
=0mA
-
2
-
2
-
2
mA
I
CC1
平均开工
当前
I
CC2
周期时间= 1us的,
100 %的责任,我
OUT
=0mA,
CE1
0.2V,
CE2
V
CC
-0.2V,
V
IN
0.2V
循环时间=分钟,
100 %的责任,我
OUT
=0mA,
CE1
= V
IL
, CE2 = V
IH ,
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE1
=
V
IH
-
3
-
3
-
3
mA
-
40
-
35
-
25
mA
待机功耗
电源电流
( TTL电平)
待机功耗
电源电流
( CMOS电平)
输出低电压
I
SB
CE2 = V
IL
CE1
Vcc-0.2V,
-
0.5
-
0.5
-
0.5
mA
I
SB1
V
OL
输出高电压
V
OH
CE2
V
CC
-0.2V
或CE2
0.2V
V
IN
0.2V或
V
IN
Vcc-0.2V
I
OL
= 1.0毫安
I
OH
= -0.5毫安
-
10
-
10
-
10
u
A
-
2.1
0.4
-
-
2.1
0.4
-
-
2.1
0.4
-
V
V
TM科技公司保留权利
改变产品或规格,恕不另行通知。
P. 4
出版日期:二月2003
版本:电子