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T15V4M08A 参数 Datasheet PDF下载

T15V4M08A图片预览
型号: T15V4M08A
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内容描述: 512K ×8低功耗CMOS静态RAM [512K X 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 76 K
品牌: TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
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tm
TE
CH
初步T15V4M08A
AC特性
(
VCC
= 2.7〜 3.6V , VSS = 0V , TA = -40
°
C至85
°
C)
( 1 )读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
芯片使能到输出低-Z
芯片禁用输出高阻
输出使能,以在低Z输出
输出禁用输出高阻
符号。
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
-55
最大
-70
最大
-100
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
55
-
-
-
10
10
-
5
-
-
55
55
30
-
-
20
-
20
70
-
-
-
10
10
-
5
-
-
70
70
35
-
-
25
-
25
100
-
-
-
10
10
-
5
-
-
100
100
50
-
-
30
-
30
( 2 )写周期
参数
写周期时间
芯片使能写到底
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
有效的数据写入结束
数据保持时间
写使能在高阻输出
从输出的写端活跃
符号。
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
WHZ
t
OW
-55
最大
-70
最大
-100
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
55
50
50
0
45
0
25
0
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
70
60
60
0
50
0
30
0
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
25
-
100
80
80
0
70
0
40
0
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
台湾记忆体技术,公司保留权利
改变产品或规格,恕不另行通知。
P. 6
出版日期:三月2001年
修订: 0.A