T15V4M08A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	T15V4M08A
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内容描述：	512K ×8低功耗CMOS静态RAM [512K X 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	11 页 / 76 K
品牌：	TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]

初步T15V4M08A

推荐工作条件

（ TA = -40

C至85

参数

电源电压

输入电压

符号

VCC

VSS

民

2.7

0.0

0.7Vcc

-0.2

典型值

3.0

0.0

最大

3.6

0.0

Vcc+0.3

0.6

单位

电容

（ F = 1MHz时， TA = 25

C,)

参数

输入电容

输入/输出电容

符号

条件

= 0V

OUT

= 0V

马克斯。

单位

I / O

注意：

这个参数是由设备特性保证，而不是生产测试。

AC测试条件

参数

输入脉冲电平

输入上升和下降时间

输入和输出时序参考电平

输出负载

条件

0.6V至0.7Vcc

3.0纳秒

1.4V

= 30pF的+ 1TTL负荷（ 55ns / 70ns的）

= 100pF电容+ 1TTL负载（负载为100纳秒）

AC测试负载和波形

TTL

50 OHM

30 pF的

= 50欧姆

VT = 1.4V

图A *包括范围和夹具电容

图B输出负载等效

台湾记忆体技术，公司保留权利

改变产品或规格，恕不另行通知。

P. 5

出版日期：三月2001年

修订： 0.A

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