T15V4M08A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	T15V4M08A
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内容描述：	512K ×8低功耗CMOS静态RAM [512K X 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	11 页 / 76 K
品牌：	TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]

初步T15V4M08A

时序波形

读周期1

（地址控制，

)

TRC

广告DRES s

TAA

TOH

D 2 O UT

revious数据有效

数据V

ALID

读周期2 （

)

地址

ACE

Ø ê

OLZ

OHZ

OUT

高-Z

不关心

未定义

注：（读周期）：

高读周期。

2.所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到杉木圣过渡地址引用。

3. t

和T

OHZ

被定义为在所述输出达到参考于开路状态的时间

或V

的水平。

4.在任何给定的温度和电压条件。吨

（最大）小于吨

（分）都对于给定的设备

和从设备到设备互连。

5.转换测量

200mV的从稳态电压与负载。这个参数进行采样，不

100 ％测试。

6.设备，不间断地与选择

台湾记忆体技术，公司保留权利

改变产品或规格，恕不另行通知。

P. 7

出版日期：三月2001年

修订： 0.A

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