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    T15V4M08A 参数 Datasheet PDF下载

    T15V4M08A图片预览
    型号： T15V4M08A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 512K ×8低功耗CMOS静态RAM [512K X 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 11 页 / 76 K
    品牌： TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
     浏览型号T15V4M08A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号T15V4M08A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号T15V4M08A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号T15V4M08A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号T15V4M08A的Datasheet PDF文件第7页浏览型号T15V4M08A的Datasheet PDF文件第8页浏览型号T15V4M08A的Datasheet PDF文件第10页浏览型号T15V4M08A的Datasheet PDF文件第11页  
    tm
    TE
    CH
    初步T15V4M08A
    数据保持特性
    参数
    V
    C C
    数据保留
    数据保持电流
    芯片取消到数据保留时间
    手术恢复时间
    符号。
    V
    DR
    I
    CCDR
    t
    CDR
    t
    R
    TEST
    条件
    CE
    ≥
    VCC -0.2V
    V
    IN
    ≥
    VCC -0.2V或
    V
    IN
    ≤
    0.2V
    分钟。
    1.5
    -
    0
    t
    RC
    马克斯。
    -
    10
    -
    -
    单位
    V
    uA
    ns
    ns
    数据保存波形
    （ TA = -40
    °
    C至85
    °
    C)
    数据保持方式
    VCC
    Vcc_typ
    t
    V
    DR
    > 1.5V
    t
    Vcc_typ
    R
    CDR
    CE
    V
    IH
    CE>VCC-0.2V
    V
    IH
    台湾记忆体技术，公司保留权利
    改变产品或规格，恕不另行通知。
    P. 9
    出版日期：三月2001年
    修订： 0.A

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