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WED3C7410E16M400BH9M 参数 Datasheet PDF下载

WED3C7410E16M400BH9M图片预览
型号: WED3C7410E16M400BH9M
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内容描述: 7410E RISC微处理器HiTCETM多芯片封装 [7410E RISC Microprocessor HiTCETM Multichip Package]
分类和应用: 外围集成电路微处理器时钟
文件页数/大小: 15 页 / 457 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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怀特电子设计
耗电量
WED3C7410E16M-XBHX
初步
V
CC
= AV
CC
= 1.8 ±0.1V V
DC
, L2V
CC
= 3.3V ±5% V
DC
, GND = 0 V
DC
, 0
T
J
< 105℃
处理器(CPU)频率/ L2的频率
400MHz/200MHz
全速运行模式
典型
最大
打盹模式
打盹模式
睡眠模式
睡眠模式, PLL和DLL禁用
最大
最大
最大
最大
5.7
13.1
5.3
2.25
2.20
2.0
450MHz/200MHz
6.2
14.3
5.8
2.4
2.35
2.0
单位
W
W
W
W
W
W
笔记
1, 3
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
注意事项:
1.这些值适用于所有有效的系统总线和L2总线比率。这些值不包括过压
CC
; AV
CC
和L2AV
CC
suppling力量。 OV
CC
电力系统相关,但通常
第五<10 %
CC
力。最坏的情况下的功耗,为AV
CC
=为15mW和L2AV
CC
=为15mW 。
2.最大功率测量V
CC
= 1.9 V ,同时运行一个完全缓存居民保持其执行单元最大限度地忙碌说明,人为的序列。
3.典型功耗为V测量的平均值
CC
= AV
CC
= L2AV
CC
= 1.8V , OV
CC
D = L2OV
CC
= 2.5V的系统中,在执行典型应用程序和基准序列。
L2高速缓存控制寄存器( L2CR )
L2高速缓存控制寄存器,如图5所示,是用来精读音响gure主管级,实现特定网络连接Ç SPR
和操作的二级缓存。它是通过硬复位或上电复位清零。
图5 - L2高速缓存控制寄存器( L2CR )
L2WT
L2PE
L2IP
L2E
0
1
L2SIZ
2
3
4
L2CLK
6
L2RAM
7
8
9
L21
L2OH
15 16 17 18 19 20 21 22 22 24
0000000
30 31
10 11 12 13 14
L2DO
L2CTL
L2TS
L2DF
L2SL
L2FA
L2CLKSTP
L2BYP L2HWF L2IO L2DRO
该L2CR位在表1中描述。
2004年7月
第0版
8
怀特电子设计公司• ( 602 ) 437-1520 •www.wedc.com