怀特电子设计
绝对最大额定值
在V电压
CC
相对于V
SS
V
IN
（ DQ
X
)
存储温度（ BGA ）
结温
短路输出电流
-0.5V至+ 4.6V
-0.5V到V
CC
+0.5V
-55 ° C至+ 125°C
+125°C
50毫安
WED9LAPC2B16P8BC
建议的直流工作条件
0 ° C≤牛逼
A
≤ 70 ℃; V
CC
= 3.3V ±5％ ，除非另有说明
参数
电源电压（ 1 ）
输入高电压（ 1,2 ）
输入低电压（ 1,2 ）
输入漏电流
0 ≤ V
IN
≤ V
CC
漏输出（输出禁用）
0 ≤ V
IN
≤ V
CC
高输出（I
OH
= -2mA ）（1）
输出低（我
OL
= 2毫安）（1）
注意事项：
1.所有电压参考V
SS
（GND）。
2.过冲： V
IH
≤ + 6.0V在t ≤吨
KC/2
冲： V
IL
≥ -2.0V在t ≤吨
KC/2
*应力大于“绝对最大额定值” ，可能引起
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件高于在操作指示
对本规范的阳离子部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
符号最小值
最大
单位
3.135 3.465
V
V
CC
V
IH
2.0 V
CC
+0.3 V
-0.3
0.8
V
V
IL
I
LI
-10
10
µA
I
LO
V
OH
V
OL
-10
2.4
—
10
—
0.4
µA
V
V
DC电气特性
描述
工作电流
工作电流
工作电流
工作电流
条件
BRAM和PRAM活跃
BRAM活动/非活动PRAM
BRAM不活跃/活跃PRAM
BRAM非活动/非活动PRAM
符号
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
典型值
170
140
90
40
最大
210
160
110
60
单位
mA
mA
mA
mA
BGA电容
描述
地址输入电容
控制输入电容
时钟输入电容
1
注意：
1.该参数进行采样。
1
1
1
条件
T
A
= 25°C ; F = 1MHz的
T
A
= 25°C ; F = 1MHz的
T
A
= 25°C ; F = 1MHz的
T
A
= 25°C ; F = 1MHz的
符号
C
I
C
O
C
A
C
CK
典型值
5
8
5
4
最大
8
10
8
6
单位
pF
pF
pF
pF
输入/输出电容（ DQ ）
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2001年11月
第1版
3
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