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WED9LAPC2B16P8BC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: WED9LAPC2B16P8BC
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内容描述: 4M ×32 SDRAM / 2M ×8 SDRAM [4M x 32 SDRAM / 2M x 8 SDRAM]
分类和应用: 电信集成电路电信电路动态存储器
文件页数/大小: 21 页 / 693 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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怀特电子设计
SDRAM交流特性
参数
时钟周期时间( 1)
时钟到有效输出延迟( 1,2 )
输出数据保持时间( 2 )
时钟高脉冲宽度( 3 )
时钟低脉冲宽度( 3 )
输入建立时间( 3 )
输入保持时间( 3 )
CLK输出低电平-Z ( 2 )
CLK到输出高阻
行有效至行主动延迟( 4 )
RAS #到CAS #延迟( 4 )
行预充电时间(4)
行活动时间(4)
行周期时间 - 操作( 4 )
行周期时间 - 自动刷新( 4,8)
最终数据以新列地址的延迟( 5 )
在最后的数据以行预充电( 5 )
在最后的数据以突发停止( 5 )
列地址到列地址的延迟( 6 )
的有效输出数据数( 7 )
CL = 3
CL = 2
符号
t
CC
t
CC
t
SAC
t
OH
t
CH
t
CL
t
SS
t
SH
t
SLZ
t
SHZ
t
RRD
t
RCD
t
RP
t
RAS
t
RC
t
RFC
t
CDL
t
RDL
t
BDL
t
CCD
WED9LAPC2B16P8BC
8
10
2.5
3
3
2
1
1
最大
1000
1000
6
6
16
20
20
48
70
70
1
2
1
1
10,000
2
1
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
CLK
CLK
CLK
CLK
EA
EA
注意事项:
1.参数取决于编程CAS延迟。
2.如果时钟上升时间长于1ns的(TRISE / 2 -0.5)纳秒应该被添加到该参数。
3.假设输入的上升和下降时间为1ns的。如果TRISE TFALL都大于1ns的时间更长。 [ (TRISE = TFALL )/ 2] - 1纳秒应该被添加到该参数。
4.所需的时钟周期的最小数目除以时钟周期时间需要的最短时间,然后向上舍入到下一个较高的整数detemined 。
5.最低的延迟才能完成写操作。
6.阿尔设备允许每个周期的列地址的变化。
7.如遇行预充电中断,自动预充电和读取突发停止。
自刷新后退出8.新的命令,可给予tRFC 。
时钟频率和延时参数
(单位=时钟数)
周期
8.0ns
10.0ns
CAS
潜伏期
3
2
t
RC
70ns
9
7
t
RAS
48ns
6
5
t
RP
20ns
3
2
t
RRD
16ns
2
2
t
RCD
20ns
3
2
t
CCD
10ns
1
1
t
CDL
10ns
1
1
t
RDL
10ns
2
2
更新周期参数
参数
刷新周期
1,2
符号
t
REF
最大
64
单位
ms
注意事项:
1. 1024次
2.任何时间刷新周期已经超过,至少有两个自动( CBR )刷新命令,必须给予“唤醒”的设备。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子,恕不另行通知。
2001年11月
第1版
4
怀特电子设计公司• ( 602 ) 437-1520 •www.wedc.com