怀特电子设计
WED9LAPC2B16P8BC
SDRAM的命令真值表
功能
BRAS或
有害生物风险分析
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
X
X
BCAS或
PCAS
L
L
H
H
H
L
L
L
L
H
H
X
X
BWE或PWE
BDQM或
PDQM
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
H
BADDR12,
BADDR或
BADDR13或
PADDR
PBS
操作码
X
X
BA
L
X
H
BA
行地址
BA
L
BA
H
BA
L
BA
H
X
X
X
X
X
X
X
X
笔记
模式寄存器设置
自动刷新（ CBR ）
预充电
单一银行
预充电所有银行
银行激活
写
写带自动预充电
读
阅读与自动预充电
突发终止
无操作
数据写入/输出禁止
数据面膜/输出禁止
L
H
L
L
H
L
L
L
H
L
H
X
X
2
2
2
2
2
2
3
4
4
注意事项：
1.所有的SDRAM的操作是德音响由BWE或PWE ， BRAS或PRAS ， BCAS或PCAS ，并BDQM或PDQM在时钟的正上升沿的状态定义。
2.银行选择（ BADDR12 ， BADDR13 ，或PBS ） ，如果BADDR12 ， BADDR13 ，或PBS = 0，那么银行A被选中，如果BADDR12 ， BADDR13 ，或PBS = 1，那么B银行被选中。
3.在一个突发写周期有一个零时钟延迟，对于一个突发读周期的延迟等于CAS延迟。
4. BDQM或PDQM有两个功能对于DQ的数据读取和写入操作。在读周期，当BDQM或PDQM变高时的时钟定时的数据输出
被禁用，并成为高阻抗经过两个时钟延迟。 BDQM或PDQM还提供数据屏蔽功能写入周期。当它启动时，写操作
在时钟被禁止的（零延迟时钟） 。
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2001年11月
第1版
5
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