EP4S100G5H40C2ES1 **北京显易科技优势供应元器件，张小姐：01051986955

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氮化镓降低成本可能性大

首先，在碳化镓部分，IMS Research指出该产品的关键市场为电源供应器、太阳能逆变器、工业用电动机等。再者，法国Yole公司预测氮化镓功率器件在2012年的销售额将达1000万美元，2012年初将是GaN功率组件市场快速起飞的转折点，而整体市场产值将于2013年达到5，000万美元规模，并于2015年快速激增至3亿5，000万美元。

氮化镓是一种宽能隙材料，它能够提供与碳化硅（SiC）相似的性能优势，但降低成本的可能性却更大。业界认为，在未来数年间，氮化镓功率器件的成本可望压低到和硅MOSFET、IGBT及整流器同等价格。事实上，在过去两年间，氮化镓功率器件已有明显进展，例如国际整流器公司（International Rectifier）已推出GaNpowIR、EPC推出eGaNFET器件，以及Transphorm推出600伏氮化镓晶体管等。

其中，国际整流器公司推出的GaNpowIR可满足市场对功率MOSFET愈来愈高的需求，该公司表示，GaNpowIR的FOM能比现在最先进的硅MOSFET优异十倍，并在众多不同的应用皆有庞大的潜能。国际整流器全球业务资深副总裁AdamWhite表示，由于硅材料的功率芯片技术已面临瓶颈，未来效能突破空间有限，国际整流器多年前便已开始投入GaN材料技术研发。

值得一提的是，为使GaN功率组件拥有较佳的成本结构，包括国际整流器与EPC两家公司，均是采用硅基氮化镓（GaN-on-Silicon）制程技术，如此一来，不仅成本可优于体块式氮化镓（Bulk-GaN），以硅基氮化镓制成的高电子迁移率晶体管（HEMT）也可比同级的SiC组件便宜。除上述业者外，MicroGaN、Furukawa、GaNSystem、PANASONIC、SANKEN和东芝（TOSHIBA）等业者也已加入GaN功率半导体领域。

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